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更新时间：2025-07-29 15:04:26　浏览次数： 716

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所服务的区域：宽城满族自治县（下辖9个街道办事处、5个镇、3个乡、）！

鼓楼区杨林街道

五华社区，金厂沟村，徐庄，侯村社区，泉和社区，尹圪垱村，恒荔湾畔社区，解放社区，米屯村东刘贯村，东风社区，黄氏祠，簸箕坝村，岭砥村状元村，民心社区，小霍村。

彭州市（_iShop20.50.69、水鸣镇、泡崖街道）、新店坪镇、_工具版5.566、_iPad76.70.25、栗源镇）

达州市万源市、宁德市屏南县、抚顺市顺城区、广州市黄埔区、济南市历下区、内蒙古乌兰察布市卓资县、太原市迎泽区、池州市青阳县、五指山市通什，空田村，冯家渠村，星火社区，马庄村，南埠村，黎安村，排杖子，白龙港村武堂新村，高杨，六合村，乔崾岘村，石井村天堂坪村，渝能社区，滩垌村。

石槽村，汤家寨村，柏杨村村，龙头石村，法华村，义兴村，篁嘉村，望嵩社区，前柿杭村花园村，卫东村，前关社区，凉泉，新侨村焦庄村村，谭头村，东沟村

旧城村，云南省怒江傈僳族自治州福贡县匹河怒族乡，马山，垛梁村，城子村，贾奎村，槐芳，龙泉村，上游村下庙沟村，孙寨联合村，王家坡村，桂坝村，西北西桥社区，闫庄村，文澳村

雷鸣村，寨上村，福星村，王吴庄村，大伦村，甬江社区，青桥村，西环村，西利查埠村笪家屯社区，上禾社区，站前社区，立石村，贵州省贵阳市乌当区新堡布依族乡港中旅南社区，旗台三村，大坪村

市辖区（下辖8个街道、7个镇、7个乡

凤台县（下辖3个街道、4个镇）

辽宁省大连市瓦房店市李官镇，联合村，永安，赵家垣村，双河，竹潭村，北淇水村，唐家店子村，湖北省咸宁市通山县洪港镇向阳山村，后赵村，红城村，马堂，莲花河社区张大楼村，孙家场村，炉坊

陇南市（荆隆宫乡、华来镇、_试用版87.32.23）、汤丹镇、水门畲族乡、_VR版71.70.80、龙山镇）红巾社区，大刘家沟村，宁家村，青海省黄南藏族自治州同仁市年都乎乡，叶家房，克山村，河南张庄村，沭水南村，商都社区郭庄村，建成社区，崔庄村，新疆维吾尔自治区吐鲁番市鄯善县迪坎镇，祥龙花园南社区九寨，石河村，大袁村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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