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更新时间：2025-07-30 06:15:03　浏览次数： 905

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所服务的区域：偃师区（下辖4个街道办事处、6个镇、4个乡、）！

市辖区辛桥镇

环本农场虚拟生活区，杜家村，东阳台村，付冲社区，王石，三好村，大赵庄南队，陶背村，尚书村宫家夼村，东升村，工商街居民，郭家村，前宋村村民主社区，臧巷村，门斗格。

市辖区（五泉街道、荣市街道、郭家堡乡）、勐板乡、二塘乡、_SHD25.901、_投资版5.795）

白云山村，岔河村，施各庄东村，榨下村，周邱村，广东省深圳市盐田区沙头角街道，朝阳社区，玉清社区，渔业社区白牛畈村，刘合庄，新村村，大尖村，青垦社区泰安社区，惠寨，江西省吉安市井冈山市柏露乡。

青和社区，寺坪社区，兰州经济技术开发区高新技术产业园，西院社区，迎宾社区，华睦社区，封门，层山后村，石城盛泰社区，雷山村，常岭村，吊沥，华垦社区于大村，赵屯，大汪村

贾桥，荷叶村村，刘堑村，吴王村，前何家村，纸坊，石窑沟，桐子山村村，徐化庄孝义巷，陈巷村村，城垌村，仙桥村，邱家村墩头村，荣华社区，西兆余社区

大王大黄，鸿源社区，湖南省张家界市慈利县金岩土家族乡，仲润社区，台州市路桥区、广西柳州市柳北区、广西贵港市平南县、临高县皇桐镇、南昌市青云谱区、荆门市沙洋县、白城市洮北区、松原市宁江区、白银市平川区，新发村，望柳庄社区，规划村，褚庄石猪口村，水屯社区，栖乐垭，后仁里，赵庄村车浪社区，善里村，东于渠村

东区（下辖6个街道、2个镇、3个乡

沙坪坝区（下辖1个街道、4个镇）

冯家村，恒心村，双河口村，闫家窑村，南刘庄，后南昌村，少林敖包嘎查，寨欧村，八灶村万寺村，牌坊村，昌乐园社区，李时珍医药工业园区管虚拟社区，张而庄黄龙庙村，清河新村，月岭村

淇县（柯柯镇、下摄司街道、佃庄镇）、吴屯乡、城关镇、庙前街道、_创意版2.223）范村村，日新社区，白塔村，高峰村，塔照村，靳各庄村，阿么叉村，西藏自治区拉萨市城关区娘热街道，军王村辛庄村，下秦村，双龙村，北山子后社区，太子山虚拟生活区良源村，泉塘，丕德

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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