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更新时间：2025-07-26 17:34:44　浏览次数： 692

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所服务的区域：站前区（下辖7个街道办事处、1个镇、6个乡、）！

沂源县_app62.330

小寨社区，雷家滩社区，深塘村，冯村，甘道村，袁郢村，半沟村，焦作市博爱县、万宁市长丰镇、临高县新盈镇、合肥市巢湖市、广西河池市凤山县、宜昌市兴山县、广西柳州市融安县，高公民主村，后周社区，邰刘庄，诗礼，九渡庞洼，孔家庄村，东三家子。

武平县（新岗山镇、南店头乡、永安街道）、大魏家街道、九亭镇、文斗镇、古县街道）

徐崖村，凉桥村，连平县内莞镇高湖，鹤山村，忽冻村，新安村，古柏村村，小川村，孟庄村大坑村，王庄村村，大孤家子村，东廒村，大寨华丰社区，高峰村，下董峰村。

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岭西村，红土，新集，河南省南阳市淅川县马蹬镇，二道坊村，甘肃省甘南藏族自治州舟曲县拱坝镇，尖石，顺泉村，深洞村江边湾村，罗楼，华森社区，平庄村，新疆维吾尔自治区喀什地区岳普湖县阿洪鲁库木乡迪庆德钦县、福州市仓山区、洛阳市伊川县、临汾市隰县、常州市溧阳市、咸阳市旬邑县、东莞市石排镇、临汾市浮山县、双鸭山市岭东区，菏泽市郓城县、永州市双牌县、凉山宁南县、遵义市绥阳县、枣庄市台儿庄区、铜仁市松桃苗族自治县、成都市金堂县、海西蒙古族格尔木市、广西南宁市良庆区，九所村

广东省河源市和平县礼士镇澄心村，大纪庄村，高冲村，石磊庄社区，花园社区，南洼村，红色边疆场直社区，蓝铺，谢埭荡村乌巴村村，六马路社区，蔡庄，利民社区，铁城村高官屯村村，香桂铺村，南高村

加查县（下辖1个街道、7个镇、4个乡

裕华区（下辖4个街道、8个镇）

南朝碾村，章华堡，兴华东里社区，肖家村村，新范村，洼里村，吕家坳村，格道村，乐得社区深溪，河山村，河格庄村，金地云锦苑，柏树岗黄土社区，龙头村，石山子

安庆市（杨家杖子经济开发区、龙潭乡、长春镇）、后山镇、寺家庄镇、半截店牧场、安徽蚌埠淮上经济开发区）学坊垭社区，瀚林苑社区，邵家庄村，北苑社区，长蛇形村，青崖村，村南村，新立村，银杏社区下贯峪，联合村，湖洋村，杨下村，店后营簸落村，耿庄社区，高庄子

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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