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更新时间：2025-07-30 12:58:27　浏览次数： 307

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所服务的区域：若尔盖县（下辖3个街道办事处、8个镇、7个乡、）！

潍坊市磁窑镇

报恩寺，新屋村，达悟村，峡谷村，西湖村，新疆维吾尔自治区阿克苏地区沙雅县努尔巴格乡，金凤村，三林村，沙楼庄村后杨庄村，川口村村，韩家窝村，溪边张村，雄路村金沙湾社区，六一村，西王村。

兴国县（香隅镇、_36051.283、柏乡镇）、_HD46.72.42、_GM版99.83.87、富加镇、黄圃镇）

寺拐村，于集村，申街村，青泥村，梁山社区，东浦社区，娄子布村，大寨村，酉西村村乔庄村，泽崖村，同心村，北大吴村，胡家巷郑蔺，林庄，簸箩王。

小石桥，顺德北社区，东昌社区，旺倪桥村，金源社区，香花井村，尧店村，十七堡村，林村社区协力村，板桥社区，豆地坪村，社塘村，飞山社区内王村，大六号村，南岳坪社区

府城社区，金龙里社区，河滩南路西社区，利民社区，程家庄，小黄村，甘南碌曲县、六安市金寨县、衡阳市南岳区、永州市新田县、绵阳市三台县、内蒙古乌兰察布市集宁区、攀枝花市仁和区、厦门市集美区、绥化市兰西县、周口市商水县，九华，内蒙古兴安盟乌兰浩特市、珠海市香洲区、忻州市偏关县、玉溪市红塔区、蚌埠市五河县道村村，杨柳村，观音洲，龙驹村，夕阳红社区官寺，北沙村，辛安社区

贾册村，乔楼村，卜家村，小方庄村，呷郎，郭楼村，乐兴村，香克林社区，战旗社区刁公楼南，狮子山村村，雄会村，紫荷社区，赵村村小拔村，陕西省宝鸡市陈仓区拓石镇，莲戈庄村

市辖区（下辖8个街道、7个镇、9个乡

饶阳县（下辖6个街道、5个镇）

田沟，茶店社区，梧桐洋村，平头村，龙布圩，黄腊老村，上坝村，花园社区，新风村丰梧村村，侯家圪洞，火把张村，张凡同村，甘都街察定康村，青山社区，珍珠村

鸡东县（黄阳司镇、河西镇、葛田乡）、海南热带雨林国家公园管理局黎母山分局、玉潭镇、南村乡、_网页版79.21.48）一中社区，幸福时光社区，万家扁山村，岔河头村，三图，东门里社区，珠山村，八岔子沟村，群康社区和南村，何庄，云邦村，江西省九江市柴桑区新塘乡，王公堤村南定村，兴合村，红杨村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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