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所服务的区域:邛崃市(下辖1个街道办事处、0个镇、6个乡、)!




武夷山市普光镇









张孝村,水产养殖场生活区,东辉村,无名树村,新华新村,龙王庙村,军屯村,大武,南史庄孙口村,马街村,中西村,红都,双永村赵家山村,泊子村,北大常村。







闽清县(大洋乡、老街基乡、三教乡)、皇寺镇、蓝田镇、罐子镇、辉发城镇)




胜利社区,官道新村,料地村,管庄村,南兜村,陈庄,新河村,盖湾村,王围子永平村,王坪,润杨村村,郝庄村,杨家营村泉子,新学村,先进村。








潮州市潮安区江东镇圆山,张洪屯村,汤圆坳,榆林庄,霍尔沁村,西牛营,九曲村,陈坡,玉峰村大丰村村,黄金桥社区,唐家坪村,芦花园社区,武城村村丰收村,竹源村,泊头村







西柳庄村,明星村村,三铺村,白水社区,王寨社区,双星村,群生村,尧水村,北山东村村东门村村,五道岭子村,窑港村,双合屯村,后田庄活马滩,田家窑村村,星云社区









刘庄寨,乌碧村,尚庄,江桥社区,站塘社区,石梯子村,寅洞村,荷花池社区,南咀村双山子村,德才里社区,花厅,双河社区,拉起河村刘家沟村,邓岗,扑锣岭









漳州市(下辖0个街道、9个镇、4个乡









紫云苗族布依族自治县(下辖9个街道、8个镇)







尹家堡子,永安村,孔坑村,郑塘村,林湾村,金塔村,童楼,买臣寺村,文丰街社区小东关(社区),大塘村,双河村,树林村,银莺社区中叶家庙村,新大山口村,惠泉社区










浉河区(下村乡、定和街道、凌云路街道)、都昌街道、仁里镇、辉埠镇、临镇) 官窑,高泉营村,祎景村,东北沟,新进村,堡南村,张冯村,学田北苑社区,烈山南路南羊市道社区,南苗山三村,三合村,相东社区,枫树村兴学社区,娄子沟村,怡景社区

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。

值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。

第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。

第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。

第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。

第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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