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更新时间：2025-07-30 04:16:14　浏览次数： 570

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所服务的区域：锦屏县（下辖1个街道办事处、6个镇、0个乡、）！

任丘市百草沟镇

铺顶村，双胜村，杨庄社区，上五开社区，小庄子村，夹河村，花山社区，台西，水南村南营子社区，云南省昭通市永善县墨翰乡，甘肃省天水市秦安县王铺镇，韩家庄，峦谷堆村特呈村，大塘冲社区，新桥村。

凤阳县（_定制版7.91、_精英版4.759、中村乡）、付家店满族乡、_界面版6.275、梅岭镇、觉木街道）

杨家洼村，朝阳社区，四川省乐山市井研县研城街道，胡刘村，安泰村，毛河社区，阳安村，四墩村，东岳庙村云南省普洱市澜沧拉祜族自治县糯扎渡镇，九龙泉村，合北村，四川省雅安市汉源县皇木镇，平陵下坝村，广东省河源市和平县下车镇云峰村，东良仕。

沙地坡村，冲洞村，杜永社区，卢家村，知内村村，太子府村，永安社区，九龙村，陈庄村古县村，五美城村，大于庄村，郭庄，麻寮村山东省济南市济南高新技术产业开发区孙村街道，杜庄，水峪村

陈井村，东格村，东关村，卞楼，桥楼，贾旗村，天合村，保安庄村，乌力吉图和尔嘎查委员会南贾庄，豫章苑社区，晋侯村村，茶园坪，郑庙村北三，官塘村，明星村

东刘，三里庄村，瓦古村，通石村，吉林省辽源市东辽县渭津镇，甘肃省武威市古浪县直滩镇，安村村，楼台社区，巨力克村三房村，湖北省荆门市掇刀区团林铺镇，庄坑口村，塘拉村，童亭矿中心社区歇肩岭村，十八里畈村，苹果村

茫崖市（下辖3个街道、2个镇、3个乡

武宁县（下辖2个街道、1个镇）

东茹庄村，大杨家村，薛官屯，三合村，麻子滩村，佘庄村，贡乃，周口市项城市、茂名市电白区、通化市柳河县、内蒙古呼和浩特市和林格尔县、宝鸡市千阳县、咸阳市淳化县，马家窝铺村南坪村，四川省乐山市市中区绿心街道，王集村，八树村，里册峪村村卢楼村，贾村，双桥坪社区

雨山区（福民乡、沙湾镇、杨梅乡）、高力房镇、向阳街道、泽头镇、_扩展版8.856）梁家，朝书村村，太和村，泉眼村，聂都村，宋窑村，兰家坪，郑王社区，其甘嘎查城西，司里村，河南屯村，黄坪村，窑房村边山村，北楼下，范水坑村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来