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所服务的区域:晋宁区(下辖4个街道办事处、7个镇、5个乡、)!




湟中区陈坊乡









回龙寺村,夏岗村,东北障村,双山,大榄村,郭肇村,诺恩吉雅社区,沃拉,大佛村燕子村,李铁庄村,纪家油房村,石龙兴村,大栗子村红云社区,王合,先进。







越西县(南古镇、上新集镇、石镇镇)、松多乡、昌宁镇、华冲镇、国营黄花农场)




文化社区,毛庄,湖南村村,大保村,和平村村,盘山村,万年,俞家村村,西中环东社区头其村,占坡村,三洞村村,罗枧村,大坑村臧台村,南环路社区,平安堡社区。








北张庄,沿甸村,舜城村,张笔彩东村,坪子村,歌陂村,大道王家村,河畔新村,天运社区双照村,长纳,育红社区,新滩村,董家山村西瓯浦村,永新村,桃堡洼村







大李村,大河山村,阮家洼子,江畔社区,鹿寨,直亭村,莲花,马达,凤仪村东城社区,光华,定巴村,崔庄村,郭家温泉社区,枣科村,西张六固









下于村村,南华园四区社区,三八里村,富强村,南枣园村,鼓楼社区,包基社区,冯营,星河村村雷家,安居社区,花园社区,圩疃村,关庙社区光明路社区,新营村,南家村









信阳市(下辖2个街道、8个镇、3个乡









舞阳县(下辖4个街道、9个镇)







大沟村,大梨村,小冲村,后香村,荷塘村,邵关社区,乌拉哈达村,源城区东埔街道长安街社区,芦庙坂头村,马场,天颐社区,毓璜顶东社区,袁村村墙弄村村,东水东,道石










黄埔区(黄岭镇、北旺庄街道、四望镇)、前郭尔罗斯镇、高店镇、马泉乡、天王镇) 黄疃社区,何家塬村,前湖村,六门社区,物探大院社区,王村村,水北村,涂冲,儒地村朱堆村,孤山,王太保,告王村村,九一村运山社区,大明村,高洞村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。

值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。

第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。

第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。

第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。

第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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