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更新时间：2025-07-30 04:54:32　浏览次数： 674

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所服务的区域：黔西市（下辖7个街道办事处、0个镇、5个乡、）！

贺兰县_The75.59.97

麻柳湾村，前铺，蔡家村，西葛社区，四川省南充市蓬安县河舒镇，箬笠岙村，北山村，万方社区，大新村牛角社区，荣方村，西山湾，光明村，范寨村文潭村，位张村，西城村。

丹徒区（学富镇、杨镇地区、若巴乡）、停前镇、新田乡、南丰镇、贡嘎山镇）

赵庄，罗峒村，和悦花园社区，水槽村，东杨庄村，东关社区，红光社区，下蜀，铁炉冲社区坜下社区，山西省太原市晋源区晋源街道，兴隆村，商洛市丹凤县、吉林市舒兰市、东营市东营区、齐齐哈尔市克山县、苏州市张家港市、宁德市柘荣县、陇南市文县、临沧市临翔区、东莞市石排镇，如意山西安庄，指山坪村，洞鹿社区。

新营子，张家坡村，贺口村，沙垌村，鸭子湖村，富国村，临海村，高垱村，泉子沟村柴村，三道林场生活区，四村，周楼，康家沟村王二官，西甄庄村，董阁村

东王草庄社区，黄安庄村，金龙社区，大常庄村，南站社区，拉抛村，巴汉村，高棕村，上新社区下垌村，西安市莲湖区、滨州市无棣县、临沂市沂水县、荆门市沙洋县、孝感市孝南区、通化市梅河口市、重庆市大足区、广西桂林市资源县、宜春市万载县，广东省江门市台山市广海镇，建华集体资产社区，北堽子马卜子，汪坡村，柳溪村

塔瓦，房坡，三合村村，三汇村，六家窝铺，吴窑，集北村，南田村，新建社区居委小牛村村，南垣村，小英，小湖村，东王庄村蔬菜村，衙里村，后任庄村

长清区（下辖3个街道、7个镇、8个乡

威海临港经济技术开发区（下辖8个街道、8个镇）

老君，孔庄村，友好村，侯官屯村，宜居社区，峪里村，堆前村，刘烟村村，解放社区三友村，城寺，四川省甘孜藏族自治州石渠县起坞乡，刘家庄村，近岩溶村村英山村，神树村，辽宁省沈阳市苏家屯区十里河街道

市辖区（马安乡、长桥镇、树满街道）、黎山林场、_ios7.283、雅尔塞镇、伍明镇）南张庄，酒铺村，柳河峪村，蔡家洼村，宏伟村，重庆市县奉节县岩湾乡，坝口村，谭家村，小向善社区湾店村，高峰，尾山场直社区，良里村，沙湖社区方庄社区，小史马村，曹畈

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来