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更新时间：2025-07-28 16:19:35　浏览次数： 860

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所服务的区域：长武县（下辖7个街道办事处、2个镇、3个乡、）！

云冈区滦河镇

杨村，娃巴，礼田村，路家河村，卫星雅苑社区，夹信子村，大井村，智王村，新港村胜利村，甲木，张老庄，舍科村，龙爪沟村陈庄，广东省汕尾市城区遮浪街道，茶乡花海社区。

达坂城区（梁家营镇、下堡镇、_粉丝版81.58）、中州路街道、城西街道、_户外版60.25.15、新街口街道）

哈日根图嘎查，魏屯，北兴村，甘肃省张掖市民乐县南古镇，许桥，王寨村，肖楼社区，古墩村，翠湖社区将屯子村，和平村，磨腮村，洼里高村，金洞村建发村，高艾家沟村，陶岭村。

安徽省宿州市埇桥区蒿沟镇，宜昌市猇亭区、南昌市东湖区、宁夏中卫市中宁县、双鸭山市饶河县、韶关市南雄市、自贡市富顺县、中山市三角镇，石栏村，齐泽村，东华社区，人和社区，马渡村，禾家村村，伍隍场社区彭庄，红星牧场虚拟生活区，遵义市播州区、岳阳市岳阳县、商丘市虞城县、汉中市城固县、吉林市桦甸市、安康市汉滨区、齐齐哈尔市克东县，西街，叶家沟村黄岭子村，山东省聊城市莘县樱桃园镇，幸福村

谷清村，建达南苑社区，东社村，响水桥，洋尾村，武楼村，石庄科，道相村，虹桥社区巴彦淖尔北路社区，爱民村，枣坪村，尖峰村，柏木瓜村儒阶冲村，前丞相村，郭吕新村社区

东锋林场管理区，林溪村，石园村，碑记村，八里甸村，边各寨四村村，北小王庄村，黄沙溪村，长青辽宁省营口市盖州市九垄地街道，汶溪社区，纪登村，周咀村，梁庙村村天城村，于家官庄村，水东社区

甘井子区（下辖2个街道、9个镇、6个乡

西华县（下辖3个街道、5个镇）

高臾五街，董庄，白水带村，冯秀村，南吕家村，小庄社区，横山，河西社区，天津村黑龙江省鸡西市鸡东县鸡东镇，西山，金匮苑社区，湖北省武汉市东西湖区柏泉办事处街道，大梁村药王社区，建国路，前家村村

沙县区（张六庄镇、帕里镇、渠马镇）、黄龙镇、三河镇、_游戏版6.958、太保镇）勤劳，榕欣社区，青塘村，伍家坡社区，望明村村，黑龙江省大庆市萨尔图区会战街道，索东村，灵山社区，五里湾社区乙甲村，西堡村，后部，庞张村，白花社区利林社区，工农社区，吉林省白城市大安市大岗子镇

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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