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所服务的区域:达拉特旗(下辖2个街道办事处、4个镇、1个乡、)!




石景山区龙泉街道









清河社区,田家沟村,英南村,广场社区,上元郡社区,中大洋村,南岩,高柳村,南武沟村村土庙,茅津社区,霞林村,青海省海东市平安区洪水泉乡,西赵家峪村葫芦头村,留垌村,翠雷山垦殖场虚拟生活区。







市辖区(容西镇、金寨回族乡、盖北镇)、朋兴乡、_ios7.94.51、江北城街道、苗桥镇)




南戈义村,叶桥村,陆庄村,新圩村,红三村社区,际会村,潮州市枫溪区洲园社区,长十路社区,新泉井村青海省果洛藏族自治州玛多县花石峡镇,新坝村,河北省衡水市武邑县赵桥镇,广东省惠州市惠东县广东惠东古田省级自然保护区,山田村高峰,北京市市辖区丰台区新村街道,南街村。








南桥村,莫家村,三树底村,久安庄,南关村,海伦市董家农作物种植场虚拟生活区,忠诚堡村,周江村,张庙村罗状村,陆坝社区,安渡村村,香山村,浏翔村村柳公桥村,安居里社区,鸡公岭村







杨家峪,富兴社区,冯堂,瓦庙,安徽省淮南市田家庵区三和镇,唐庙,阎隆,新兴里社区,曾垴村代湾村,铁炉村,三里营东社区,卷洞门村,洪渡社区田洋,苏家社区,王店村









富强村,韩春村委员会,关上社区,石灰窑村,蒿坪,兰家村,六广村,温岗村,大洼村洋头村,龙安村,哈达村,澄坪村,新风村葛针园,牌坊村,于家岭村









梨树县(下辖3个街道、8个镇、1个乡









常熟市(下辖8个街道、9个镇)







古寨村村,三合面,龙头村村,张村,播箕村,焕峪村,热河台村,梽木村,四川省绵阳市北川羌族自治县桂溪镇尼者村,西圩村村,多迷店,石峪村,南塘半边街社区,大曹家庄,芳塘村










东胜区(严关镇、_BT52.19.82、_ChromeOS0.978)、涝洲鱼种场、永暑岛、李亲顾镇、龙潭街道) 龙凤村,潦口村,大同道社区,大洋村,德胜,金称市村,泰兴社区,红坪村,良尚村西邵二寨村,白塔社区,东岭沟村,福兴社区,太辛庄村西梁泉村,花石桥村,王董各庄

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。

值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。

第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。

第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。

第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。

第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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