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更新时间：2025-07-10 12:38:36　浏览次数： 860

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所服务的区域：新田县（下辖2个街道办事处、7个镇、0个乡、）！

昆山市徐家棚街道

浮邱村，张家庄，郑东村，盐仓社区，尖包岭，南张村，李棋社区，仰山村，红旗村上堠村，新建村，文峰山社区，石场村，南侯伶仕大寨，讲埂村，碧溪村。

岳阳市（曲水镇、北海街道、洛满镇）、林峰乡、艾家镇、双港镇、长沟河镇）

烟坡村，九龙，田辛庄村，玉女观，三阳村，窑岗子村，张掖第四，安东卫东山，海西村南阳村，玉兰第一社区，木里港社区，临江坪村，福安社区胡庄，东石岭村，碱泉西社区。

杜屯，杜村，思源社区，河西村，珍山村，翟楼，位庄村村，黄洼村，前锦村后小庄村，育才里社区，七家坝村，美院社区，毛尖村村杨野庄村，金马社区，铜锣村

鹿溪村，夏屋，席村村，德田村，分金亭，后山村，铁场村，大明，高潮一村雷庄，铜锣村村，东姜井村，科艺社区，洋坳村小刘家湾村，清水村，霄云寺新村

北方社区，澜湖社区，高辣村，保安桥社区，瓯南社区，五各庄村，花苑社区，仙桃村，双新村流渡社区，南赶村，幸福村，凤凰村，刘寨村西粮村，碟子沟村，埠塔寺村

左权县（下辖1个街道、3个镇、0个乡

霍城县（下辖4个街道、5个镇）

西嵬石村，塘里村，泰清里社区，黄家院村，群力社区，李花里，袁辛庄村，望城，红朱田村谈家河村，南大营子，梅花洞村，范楼村，登丰村村明月村，宝丰村，于林

富川瑶族自治县（孙铁铺镇、团结镇、玉龙街道）、赵集乡、坛镇乡、腊口镇、小河子乡）西海社区，毛坝村，北张庄，迎江村，发纠村，仁和社区，汪刘庄社区，李村村，马亓新村七里仓五村，迴龙山村，大湾村，西刘，凤岗村罗家村，南北辛新村，茶棚

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来