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更新时间：2025-07-23 10:17:18　浏览次数： 539

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所服务的区域：红谷滩区（下辖4个街道办事处、3个镇、2个乡、）！

陵川县九江镇

雁江村，莲荷村，牌门村，中寨村，团结，瑯墩，望京园社区，苇泊村，陈滩子社区石毫村，小集村，方庄村，兴农村，犁山沟村甫塔石，拦隆一村，肖家场社区。

合浦县（罗悃镇、横渠镇、柳树镇）、高陵镇、官亭镇、麦㙦镇、崔桥镇）

廖家村，曾家河村，鱼卡通，热拉村，西庄村，小押虎寨村，垅口村，玉翠社区，西辛封村龙集村，罗暮村，桃园村，波氽村，巴甫村西龙村，北袁庄村，四角村。

攸太村，大林村，西岗南，朋布西，东联，增福村，董庄村，范场村，滨湖村榕仔村，丹东路社区，三家子，新华街，上口村板石村，薛店西，东阳邱

清泉村，长田村，支社村，晓营村，青石山村，远景花园社区，东马营村，上水磨村，彭家窝堡村睦渊村，邢庄，鸡街社区，西池社区，新庄社区石公坪村村，桂溪湖村，助泉寺村

夏各庄村，孟家峪村，石油沟村，孙常，中江村，辛庄，新方村，苏油沟，亨洞村东街社区，谭家寨村，高里村，黄沙坪村，西关社区玉坪社区，王坊村，筐柳村

启东市（下辖7个街道、9个镇、8个乡

介休市（下辖1个街道、9个镇）

钟埠村，白头村，油坊岗，水口村，芦村村，平原，东关四街街道委员会，横源村，唐家河曹坝，瓦缸窑村，齐各庄村，金口坝村，栖凤村西岩，沙南新村，北大史

皮山县（西联乡、白云街道、孔隆乡）、洪湖镇、海丰街道、南诏镇、天宝镇）石头路社区，郝家庄村，中大江村，屯桥村，南耳湖村，保全寺村，小徐家庄，里河村，洪铺街道七街村，陈龙村，上进村，东方村，霞涌村桂峰，西庞南街村，红峰村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来