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更新时间：2025-07-23 08:41:52　浏览次数： 524

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所服务的区域：双峰县（下辖2个街道办事处、9个镇、5个乡、）！

市辖区高场镇

马太湖，前刘，西道村，兴和苑新村，江口村，双牌铺村，四铺，港头村村，明星村三堡村，卢外，龙园社区，理稼庄子，启凤街莺一社区，佑所村，三星新村。

铜鼓县（五和镇、中坝街道、北斗溪镇）、大桥瑶族乡、新场镇、芒山镇、渔安街道）

水南村村，王洪林，虎啸村，横店村，共裕村，甸山头村，梁各庄村，张地村，北方山村川心港村，北王村村，卡达普村，塘沟村，石桩福兴村，甘摩社区，红岭社区。

翟庄村，何张莫，南富社区，前陈甫村，洪口村，朝阳二社区，西洼村，泸桥，大树村村富泽村，后坑村，老庄社区，章京营子村，横岭牡丹村，桂鹤社区，东宋庄村

莲洲街，者斌村，王家沟村，新地房村，庆丰村，从宜村，南梁街社区，终南社区，寨下村桑典村，宋海村村，威镇村，大黄杖子，黄家店村萨太尔村，徐老家，梅峰村

张大湾村，朱砂洞村，小阳，三号村，李河村，上湖社区，北隅村，邢张庄村，少林村美南村，崔山村，奎星阁社区，张丰村，陶瓷社区小鱼滩村，边三庄，石椅村

颍上县（下辖9个街道、4个镇、5个乡

雁江区（下辖3个街道、4个镇）

东孟，锦归社区，财源社区，暖阳，联兴村，西尧头，大蒋村，七管村，西盛村百子，茶园社区，宋庄村，大桥社区，东来二村解放路，宝峰村，东老村

海门区（五经富镇、蚬岗镇、丁兰街道）、张老埠乡、演武街道、李家巷镇、十间房镇）华沂村，大林上村，耑路头村，华能社区，政和村，马家崖村，五星村，桥坝村，西杨木村千家村，小固鲁村，欧曲村，张坊村，鹤林新城社区青龙峡村，罗峰村，胜利屯村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来