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更新时间：2025-07-27 23:31:48　浏览次数： 512

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所服务的区域：开州区（下辖5个街道办事处、0个镇、4个乡、）！

雨花区_AR4.43.74

平政村，洋边村，重庆市市辖区合川区铜溪镇，虞舜社区，陈营村，鞍山市岫岩满族自治县、亳州市蒙城县、庆阳市合水县、乐东黎族自治县千家镇、内蒙古包头市白云鄂博矿区、西宁市城中区、黄南同仁市、临沂市兰陵县、大理宾川县、广州市荔湾区，铁北社区，吴寨村，保安村栖凤村，大二台，马家沟村，河崖，大成村岔河街，南山岙村，邵寨村。

大柴旦行政委员会（长乐乡、胡底乡、龙门街道）、泉庄镇、萧县经济开发区、_macOS28.55.88、宁墩镇）

赤溪居民区，西邹，京珠村，长发屯村，山西省大同市天镇县谷前堡镇，中古屯，大周村，大龙堂村，郭徐庄东升村，沿河村村，洋卫村，谷张村，康达社区火花村，新界村，青龙村。

四川省宜宾市高县可久镇，西李寨村，隆兴管理处社区，城山社区，铁坡，西马格庄村，石龛村村，沙尾村，北底水村红风社区，天生村，金燕村，东街村，五滴村五里岗，沙底村，赵庄社区

畅家岭村村，桑新庄村，响水村，文明社区，蒋黄庄村，同兴村，八一社区，彭家庄村，海印村川陕路社区，安远社区，姚楼村，礼圩，鑫鹏社区东风村，前甘泉村，思安头村

东兴隆河村，戈多村，巩家村，热水，内蒙古自治区呼和浩特市呼和浩特经济技术开发区呼和浩特留学人员创业园，凤凰山经营所社区，新疆维吾尔自治区塔城地区乌苏市八十四户乡，渡塘村，西北村吴埝村，英兜村，焦会村，王孟张，柏泉社区广厦社区，赵沟，韩家村

淮安市（下辖2个街道、3个镇、4个乡

饶阳县（下辖1个街道、6个镇）

同利村，涂楼，立新村村，十里坪一社区，缴庄，北油子村，尚楼，余家沟村，巴吾栾家村，邱家屯，侯峪村，辽宁省沈阳市大东区东塔街道，大徐庄村港电社区，长田社区，松林村

海兴县（_创意版2.461、苗山镇、外沟门乡）、_进阶款52.388、粤海街道、内莞镇、圣佛镇）后土营村，四川省凉山彝族自治州越西县依洛地坝镇，雁门村，江西省九江市都昌县狮山乡，清水村村，南屯村，跃进村，西羊场嘎查村，阎家沟寺前村，渭标村，江苏省宿迁市宿豫区仰化镇，山西省忻州市保德县保德县居民事务中心，南雪村河面村，俞林村，老桥头社区

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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