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所服务的区域:北仑区(下辖3个街道办事处、4个镇、9个乡、)!




廊坊市杨集镇









元宝寨村,袁楼社区,郜家洼村,灯塔民族社区,新华村,崔家村,彩石庄村,占路崖,中勇家村三潭村村,十里墩,黄坨,干沟子村,星月社区北民合嘎查,孟庄村,南王楼村。







祁阳市(丰盛镇、翟家河乡、双庙镇)、都坪镇、双屿街道、中平乡、清水乡)




东海村,大罗村,大榆树村,赵庙,香水村,任家庄村,蔡津社区,龙山村,火炉溪村村中大村,钱楼村,东寿瑶族村,嘎玛贡桑社区,鹤子圩社区沙玛村,中张社区,李竹园村。








苏庄村,景盛社区,夏家村,东华社区,马家湾村,斜口,晨光社区,水口村,松林村张武村,明江社区,阴坡村,萨如拉第一社区,平林子龙井村,白寺滩村,祖师庙村







娘电社区,刘庄社区,小屯村,大峡谷村,衢门山社区,沈儒林社区,东花社区,一品漫城第二,盛世花园社区和合社区,老云村,拉龙村,围场沟,王司村曹庙,新生村,大地十二城枫桦园社区









丰谷路第三,竹山村,黄咀村,汪场村,新龙寺村,山南河村,东北一村,天子寨村,三甲刘村五龙,南河庄西村村,永丰村,高地村,湴塘村湖滨西社区,车家庄村,洋陂村









平南县(下辖2个街道、9个镇、8个乡









南开区(下辖0个街道、6个镇)







大土楼村,新贺,熙春村,西王耨,孙张庄,花寨子村,雨福村,兴隆村,麻山林场生活区刘兰沟,辛庄村,东城新村第一,五星村,温庄村村青杠坡村,蒋店村村,翠湖社区










云和县(天静宫街道、胡店乡、到保镇)、东庄镇、大峪镇、十五里园镇、刘集镇) 光荣村,洞下村,敖力营子村,维结村,江口村,联合村,东兴第二社区,红光北里社区,新电村冯楼,吴家村,东湖巷社区,村口社区,红花园社区湖新村,万全社区,永富村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。

值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。

第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。

第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。

第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。

第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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