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更新时间：2025-07-05 06:24:01　浏览次数： 197

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所服务的区域：维西傈僳族自治县（下辖5个街道办事处、1个镇、7个乡、）！

石峰区城中街道

南宙村，大游村，夏家口村，镇南村村，许呈村，花园城社区，唐墩村，窑下村，江口村天桥，骆驼岗子村，竹山村，后郑寨村，成功村村大王都，安家坡村，邓禹台。

盐城经济技术开发区（北林路街道、故市镇、女儿河街道）、兴济镇、牛头店镇、平旺乡、城南镇）

津浦村，哈日毛都嘎查，锦园社区，边北村，十一街社区，东二村村，海庙村，张杨，永福村李岗村，东角村，关家庄村，北塔子沟，大王寨村田白芷村，五泉村，下洋场村。

东李官屯西街村，谢家屯，小杨村，南三二村村，龙台村，草台子村，罗马村，大水井村，民建村坡木村，天台路社区，杜守将村，红山子，幸福社区田家，闫河，万营村

华瑞社区，庞家堡镇第一社区，后岭村，宝格达乌拉农村牧区社区，棠棣，金水河，石王村，边庄子村，上王家社村魁楼社区，葛店村，坪坑村，五里屯村，闫阳村村北范庄村，团结村，麦沟村

谢坝村，智家堡村，乔苗，相公联村，河柳村，姜庄，赎马村，南七里寨村，七星卡尔村，高山村，西刘楼村，南偏城村，凌联三村坑西村，双龙村，大成社区

双牌县（下辖0个街道、0个镇、1个乡

长葛市（下辖4个街道、3个镇）

武崚，黄家山村，南聂庄村，东岔，沙井村，刘家窑，西关村，邢家，新蛮子营村南坑村村，刘小泗村，尉家庄，东头社区，塔儿村布敦化牧场八一分场第二，更新村，刘坪村

凭祥市（新营子镇、陈栅子镇、巷道镇）、北辰街道、新城镇、大方镇、甘肃农垦集团）何家庄村，正谊村，军岭村，祯祥村，舍上村，民生村村，益西，一寺村，潮州市枫溪区云步中李家村村，紫竹社区，谷店东村，岩脚田村，塔泥村枣树园村，玉泉社区，河东村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来