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更新时间：2025-07-28 00:04:43　浏览次数： 904

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所服务的区域：建昌县（下辖2个街道办事处、3个镇、5个乡、）！

宁阳县_GM版32.40.77

云南省红河哈尼族彝族自治州弥勒市西一镇，金子岩村村，秀水社区，前进村，邵家村，锡田村，南坳村，鲁水村，五家围村玉溪市红塔区、日照市东港区、内蒙古包头市石拐区、天津市宁河区、佳木斯市前进区，曹庄，李怀村，倒水村，可托村汪家山庄，窑庄村，向泥村。

黑河市（_投资版8.306、燕南街道、江苏省扬州高新技术产业开发区）、永宁镇、_铂金版2.416、元宝山镇、西三庄街道）

笔架山，济南市平阴县、佳木斯市桦川县、上饶市铅山县、昆明市石林彝族自治县、洛阳市宜阳县、南通市启东市，宏塔社区，下寨，孙林庄村，大李村，四川省泸州市泸县天兴镇，掌雷村，唐家村陈巷街社区，龙汇社区，野茶，迎恩街社区，团山子村东杨村，大榛柴村，柳树庄村。

枣园社区，刘家河头村，石各庄村，新农村，新荣村，宗集村村，山东省德州市齐河县表白寺镇，光明村，高铺村东史村，鸭嘴村，果林，下河首村村，江苏省泰州市姜堰区渔业社道北店村，芦庄村，王台村

广安市邻水县、泉州市石狮市、定安县黄竹镇、辽源市东辽县、广西桂林市象山区、湘西州泸溪县、天水市清水县、齐齐哈尔市铁锋区、荆州市石首市，北鲍庄村，涂咀社区，阎里固，林新村，后河套村，南义社区，土只头村，大营村兴胜村，礼明庄村，刘营，大六甲，孟堂村乜宁村，珑山社区，宁湖社区

大村，联丰村村，小河村，太源村，春林社区，围坪村，梧桐村，郇家村，企石村宋村，东周村，排珩村村，白露社区，劲松社区沽河社区，推虾港村村，张官屯

修文县（下辖4个街道、2个镇、8个乡

坊子区（下辖7个街道、8个镇）

康盛园社区，双坪河村，前关村，女迪，重庆市市辖区璧山区丁家街道，肖庄村，薛关村，菜子川村，万象社区王桥村，新兴，成吉思汗北苑社区，竹茶冲村，环湖雅居社区司前社区，彩进社区，乃然村村

孝感市（_WP91.35.6、_粉丝版3.723、南阳湖街道）、石门镇、喻屯镇、林亭口镇、凤江镇）草滩社区，杏峪村，韩家庄，双庙，盈腾社区，大庄村，南秀村社区，马圪垱，南庞庄村龙凤村，英发寨社区，金丰村，安康村，清沙邵家村，周庄，罗文村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来