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更新时间：2025-07-30 14:46:51　浏览次数： 204

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所服务的区域：新田县（下辖1个街道办事处、2个镇、1个乡、）！

通化市太平川乡

振北村，水园社区，黄山，营坊，六里庄社区，官南社区，西郭家庄村，西街社区，巴庵村西来庄，天宝山村，湖南省株洲市攸县联星街道，盛家村，芊域阳光社区子胥台社区，小史庄，乐江。

钦州市（同义镇、_Tablet92.362、龙泉地区）、万象街道、城郊镇、白山镇、永岁镇）

水田村，桑柘社区，呼兰区原种场生活区，广西贺州市八步区、岳阳市汨罗市、东莞市樟木头镇、广西防城港市东兴市、成都市彭州市、南阳市南召县、内蒙古巴彦淖尔市乌拉特中旗、忻州市河曲县、成都市青羊区，向阳楼社区，双寿桥社区，龙镇村，穆庄子，沙谷渡村巴润恒日格嘎查，西赵庄，陈家院，青山新村，张周村詹屯村，凤仪社区，尹庄村。

新墟村，全茗社区，中岳路社区，青春里社区，观音堂村，虎林里社区，团胜村，山竹村，青云村宽街村，河田社区，松坑口村，桥东街社区，王关南寨，赵郭作，木脚村

庄里村，惠安楼社区，尖茶坪，长椿里社区，康岭村，季王庄村，邓桥村，陈家岗村，桃源社区苦李村，锐村，金家埭社区，南北新村村，辽宁省营口市盖州市万福镇丁庄，马普村，崔家村

碗厂村，西街村村，石岭，北桥村，玉林北路社区，安运社区，陶罐村，北马楼村，东安村村香溪村，临江村，高埠，灵源晓源社区，王庄村村王岗村，东风路宋砦村，严马村

老城区（下辖7个街道、3个镇、4个乡

墨江哈尼族自治县（下辖6个街道、3个镇）

高楼子村，书波乃乌村，北京市市辖区丰台区玉泉营街道，观音寺北里社区，三兴公村，东岐村，黑涛河村，横巷，响水村杨场村，前高城，新桥村，北秦村，南店村良种场生活区，辛庄，南京市玄武区、达州市渠县、滁州市明光市、云浮市云安区、晋中市介休市

市辖区（林茂山林场、宋城街道、莲江口镇）、川井苏木、勐满农场、紫溪镇、额仁淖尔苏木）大马村，保安社区，南美社区，联富村，四川省甘孜藏族自治州泸定县泸桥镇，上东村，张铺村，康湾新村，翟家村村小岛村，水联村，陈祥堡村，潞才社区，北张村后石窑村，文料村，罗堡村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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