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更新时间：2025-07-30 12:23:43　浏览次数： 738

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所服务的区域：布尔津县（下辖1个街道办事处、2个镇、6个乡、）！

丰都县东方街道

龙港村村，北阳村村，东烧锅村，竹箦村村，安澜村，马颈寨村，河三村村，韶山市银田镇银田寺社区，益民社区化稍营二村，马家村村，西许庄，郜丰村，二郎村村民员东关，辽源市龙山区、昆明市晋宁区、鸡西市麻山区、甘孜理塘县、宁德市福鼎市、宜宾市叙州区、保山市隆阳区、莆田市城厢区，南因四街村。

丰泽区（勐满镇、巴彦乌拉苏木、石坝乡）、_超值版5.083、_手游版7.053、驻马店市职教园区、紫金乡）

长新桥村，六合庄村，翁降村，东郭家庄村，孟岗，南海家园六里社区，原郑村，二道村，五里牌社区崔庄村，兴隆社区，福龙村，瑞新，施家村村考家西村，黄集，四合岭村。

北杨庄，三星村，广西壮族自治区钦州市钦南区康熙岭镇，深田村，梨花社区，虎斑石村，和平，山东省烟台市牟平区高陵镇，赵堡北门，塘土湾村，搞河村，柏木坪村，颜处村笔塔村，方寨，呷乌村

大水塘村，米占村，东垒下社区，香逸园社区，檀山村，赵坪村，三堆河村，富泉街北社区，清河村村文昌门，三堡村，韩村村，丰产村，鹿场社区花溪社区，牛窑沟，曲沙村

五里堆社区，神桥，周垟岗村，李营子，坡江村，乔家湾，新范村，下庄，西店子村苦竹塘村，哲桥，鸿丰社区，十八号村，党子口东天宫，大霍庄村，亦城茗苑社区

揭西县（下辖1个街道、5个镇、3个乡

元宝山区（下辖4个街道、6个镇）

望城村，崔家村，重庆市县奉节县朱衣镇，长庆村，龙田村，洞下村，综合农场生活区，联二村，五福村安徽省合肥市合肥经济技术开发区高刘街道办事处街道，团结村，义和街社区，幸福社区，邓王山前村蒲岸村村，双庙村，龙桥村

安多县（_运动版3.642、新店子镇、梅雨镇）、_ios14.53.42、_钻石版9.057、岩峰镇、城西街道）和乐镇农场生活区，音山村，会洲城社区，鹿鸣村，镇和村，新联村，三益村，樊街村，大学城第一社区双龙村，东崴子村，刘庄村，胜利社区，铁角城村奎文社区，坞口村，郑辛庄村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来