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更新时间：2025-07-29 19:53:46　浏览次数： 072

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所服务的区域：洛龙区（下辖8个街道办事处、1个镇、6个乡、）！

博白县南河乡

屯子，福建省龙岩市连城县姑田镇，新疆维吾尔自治区和田地区墨玉县雅瓦乡，大刘庄，乐安社区，巴里营子，玉皇岗社区，彭村村，西六马坊村尚泊头，溪南村，常寨，东丰，尚楼村毛日村，赵家坡村，孟庄。

平谷区（夏庄乡、霞关镇、河滨街道）、张林镇、孙庄子乡、_V92.1.45、多宝山镇）

天津市市辖区静海区朝阳街道，赵家寺村，双井山村，那务村，集义村，站前办事处第一，云南省玉溪市新平彝族傣族自治县建兴乡，良村村，北城村村苗岗社区，三十六岩村，贵力斯台嘎查，柳村村，超越社区皂角村，均田村，贵州省遵义市播州区南白街道。

车格村，白社村，赤尹村，马垅社区，庙儿沟村，镇北，朱河社区，烟台市栖霞市、南昌市南昌县、雅安市名山区、上海市松江区、西宁市城西区，马山村枣园，铁路社区，汾曲村，新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市天山区新华北路街道，夏官屯村柳沟，德胜村，民新村

双龙村，五秘新村，金银坎村，华格，岗马村，陶庄，双垌村，甘肃省甘南藏族自治州合作市那吾镇，美罗家园佳翔苑东常庄，尚店村，中和村，龙江社区，黄家堡村河北省承德市滦平县邓厂满族乡，王竹园村，云南省曲靖市师宗县漾月街道

舒巷，阳中村，秋晨家园社区，山头村，胡街村村，土桥社区，站前村，侯家塘新村，平棋套塘村，石元疃村，上寨，六家砦村，赵家油坊村原王庄村，田庄村，栾川县庙子镇龙王幢村

红桥区（下辖1个街道、6个镇、2个乡

江海区（下辖4个街道、3个镇）

四川省泸州市叙永县大石镇，乐公村，朱塘村，李庄村，金星，沙坨子，再头村，北王庄社区，红光村义旺村，龙沼村，草堂湾社区，大西门村，丽都社区汤涧，曹家坪村，二根河村

宝安区（头陀镇、大地基乡、忙农镇）、东邵渠镇、石家河镇、姚庄镇、泾明乡）热卡努玛村，洋口村村，昆苑社区，湖南省郴州市汝城县暖水镇，野坝，大发塘，大城子村，闯家岔，观音村瑶湖村，城北，桥头村，清华村村，朱楼村荆坪社区，黑龙江省双鸭山市友谊县建设乡，红大新村社区

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来