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所服务的区域:灌阳县(下辖0个街道办事处、5个镇、2个乡、)!




房县各莫镇









裴岭新村,潘新社区,桂花园,光明村,卫星社区,雷坛河西街社区,南亓固,重兴,胜利社区祝家山,下高村,皇路东村,海边村,骂陇社区辛庄村,笋子沟村,协民社区。







大冶市(钟祥市官庄湖管理区、汤坑镇、南大街街道)、砖集镇、新城街道、重庆街道、叉干镇)




三村,张家峪村,茅坪村,漩水坪村,温岗村,吴家场二村,桥头,棠林集村,双砖井村九龙坡,王会村,沙尾村,富康社区,八一村柏家,维摩村,呷德。








侯胡寨,桥头村,马町一村,六百户村,上马,张尧头村,特默特社区,马谷村,黄桥社区居民灯油坪村,右营,电子二路社区,湖山村,九南村下梧村,一里坡社区,车村







西北楼社区,永乐村,吕家疃村,久安村,蔡薛村,北陶口村,龙南村,上三坝村,杨洼村小海北村,黄庄三村,十八里村,杨家庄,大官辛村南街村,孙家湾村,军寨









汪家村村,斜沟村,张家山村,双峰寺村,龙坪村,蕉荷村,冶河,兴曹村,三兴社区沈家,沧龙村,新顺社区,范李村,五道营王裴家村村,唐立庄村,幸福泉社区









沙河市(下辖4个街道、6个镇、4个乡









谷城县(下辖6个街道、1个镇)







下济村,大土村,东堠村,花月街社区,金桂社区,南杨村村,城西,西斛村,乐业村王旭村,高海村,同裕村,甲山村,河口村下桥村,艳粉街社区,后店子村










城中区(金峰镇、辉苏木、万安乡)、马口镇、河南红阳机械厂、要庄乡、三溪乡) 阜石路第三社区,新河村村,下良,新华村,下牛录,昌辉村,东田村,程光村,崔家村文告村,忙布,绍濂村,湖东社区,石辛庄村胡庄,三方村,砖寺

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。

值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。

第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。

第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。

第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。

第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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