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所服务的区域:济宁高新技术产业开发区(下辖2个街道办事处、8个镇、9个乡、)!




灞桥区_影像版86.71.25









天宝山村,宋庄村,蚕丛,车坊社区,平坡村,奥林社区,大墩村,东赵庄村,坪水村药王庙,铁路坡社区,黑龙江省大庆市肇州县朝阳沟镇,四川省资阳市雁江区堪嘉镇,马家庄村柏杨社区,厢和图嘎查,北赵村。







逊克县(杏林街道、钟山镇、黄埠镇)、濮东街道、塘前乡、大兴镇、茨榆坨街道)




包家村,旗山文城社区,白云,缠良村,新宝拉格嘎查,石岗,大园子村,上大堰社区,王滩村五星,酸格林,上庄头村,蔈草社区,鲍家山村草坪村村,仁冲村村,南位庄。








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龙山村,坳背,曹魏村,周龙庄,胜利村,谢元村,爱贤村,小溪村,白阳坡郭家湾,邵场村,三界村,圈场子村,杨楼东上营村,塘坊村,金矿









涿鹿县(下辖1个街道、2个镇、5个乡









子洲县(下辖4个街道、4个镇)







西藏自治区拉萨市城关区吉日街道,安徽和县台湾农民创业园虚拟生活区,南北村,芦屯站村,吉林市舒兰市、定安县新竹镇、鹤岗市兴安区、内蒙古呼和浩特市玉泉区、济宁市汶上县、天津市宁河区、襄阳市宜城市,宗罗村,牛口村村,蒋洼,徐楼东笙巷社区,芭蕉溪村,桃子树,盘龙山,大麻溪村黄竹垌村,东梁村,新村生活区










北湖区(康乐镇、铁铺镇、老站街道)、泉湖街道、中峰镇、_The64.15.62、_3DM22.71.4) 黔兴村,北龙堂村,朝阳沟村,张官店,建新村,七林村,西太村,白杨村,预警学院社区西口村,怀古村,东徐庄,星海家园,郑家庄蒲李村,龙河,枫阳社区

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。

值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。

第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。

第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。

第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。

第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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