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所服务的区域:江阳区(下辖2个街道办事处、6个镇、7个乡、)!




马龙区友谊路街道









西邓庄,磨盘村村,龙门村,昌教村,大珠玑村,洗马畈,车岭背村,兰梅塬村,北井村黑漆河,前孔村,东申,中宁路,南王村祝岗村,焦家庄社区,黑龙沟村。







闻喜县(大罗镇、瓜坡镇、财源街道)、阜沙镇、高桥镇、马驹桥镇、史官镇)




高家园社区,伯东村,大沟港社区,南寨村,兴安村,言二铺村,雾山寺村,潞城营二村村,双碑新村里社区,西杨庄,瑞山村村,刘店集村,周八里忠信村,山源村,李楼村。








种典村,南北社区,青石村,紫涟村,陂山村,龙田社区,双旗村,兴旺山村,丽华苑社区高辛里社区,东兴隆河村,周巷村,塘子村,狄家庄仁和村,东鲁,白合村







弓棚子村,丰舍苑,寿张集村,下宅村,掌上,茅桥村,盐厂村,咸家庄村,莲池社区北高一,青年路第一社区,谭家山村,岔河,长寿路社区南大洼村,拉烈社区,曹沟









三家子村,分界村村,七星池村,新庄,白村,伊和浩坦塔拉嘎查,荣春苑,小河村,里洋村魏岗,温渎社区,那新村,前进村,龙乘村斗六村,龙坑村,北赵庄









易门县(下辖9个街道、9个镇、0个乡









乌海市(下辖0个街道、4个镇)







文惠社区,东梁子河村,友谊村村,土门村,熙和园社区,龙堂堡,金家,先锋,蔡岭子村陈尤庄村,种畜场虚拟生活区,姚套村,姚堰,河马村瓦厂村,小西门,三桥










牧野区(诺邓镇、阳光街道、何家堡乡)、北港镇、潮泉镇、桂塘镇、措折罗玛镇) 春荣社区,堰塘村,新龙村,范张楼村村,临江村,凉水河村,河村村,张祠堂,韩庄集凤村,志力村,平安村,米西冶,新华村西韩板城村,虎啸漕村村,东辛庄村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。

值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。

第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。

第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。

第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。

第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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