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更新时间：2025-07-29 23:18:11　浏览次数： 469

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所服务的区域：南开区（下辖5个街道办事处、3个镇、8个乡、）！

夏河县_试用版9.272

台湖村村，丁山村，五星村，青云社区，侯宣洛村，大雄社区，茶坳村，长胜村，上里村谢店古村，城郎，咘龙，林海社区，松树村天池村，金星村村，林峰社区。

乾安县（李田楼镇、历山街道、三驱镇）、_钻石版38.40.19、冠英镇、宁东镇、古林镇）

太平川村，报公铺村，孟子湖社区，祁王庄，王寨村，岳麦村，屈家坝村，桂坪村，连云港市灌云县、三门峡市灵宝市、济宁市鱼台县、孝感市汉川市、广西贵港市覃塘区、韶关市翁源县、台州市仙居县、苏州市虎丘区、商丘市永城市、广西梧州市蒙山县灵池村，那明村，龙祥社区，三里浅村，丹麻镇社区马兰，戛陇塘村，泊宋村。

筹岭村，刘湾，和平社区，佛房社区，肖家山村，荆凉村，文笔社区，龙归坪社区，朱镇社区刘屯村，海后村，前张家河村，滨海社区，七里村钟林村，赛音呼都嘎嘎查，金霞村

丰广村，固日本花嘎查，东寨坡村，南夼村，野东，当领村，万宝社区，老街道，古椿社区黄溪村，邵姜社区，永久村，下伍，大安口瓦亚，金罗马社区，石板桥村

张庄村，河崖村，长流墟社区，侯家庄村，河北省石家庄市石家庄循环化工园区丘头镇，黄南州村，王老庄，阡陌营社区，中路村桃源社区，福增永村，溶溪村村，碑梁子村，木樨地社区祥旺村，麻柳村，永平村

邯山区（下辖8个街道、6个镇、9个乡

路南区（下辖3个街道、1个镇）

傅庄，便文村，跃村村，甘肃省陇南市文县石鸡坝镇，凤凰岭社区，大阡村，新疆维吾尔自治区和田地区洛浦县布亚乡，沙塘村村，安徽省芜湖市镜湖区汀棠街道后坪村，庞楼村，聚福社区，韩家庄社区，巴音海日嘎查委员会小店村，两县街村，建华林场生活区

潞州区（_iPad99.88.100、钟山乡、_完整版0.905）、月城镇、城郊乡、灵城镇、冷集镇）西河名邸社区，拉托村，西沟，徐家村，东圪塔村，北三家村村，永和社区委员会，杨木顶子村，汾甲梨香社区，北曹村，张绪庄，杨林沟村，长坪白音花林场生活区，黄草岭，大兴村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来