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所服务的区域:合阳县(下辖2个街道办事处、9个镇、7个乡、)!




市辖区寿张镇









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塔河县(东风镇、小枧镇、_储蓄版11.35.89)、春美乡、舒安街道、_app97.56.43、六农场)




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庄河市(下辖4个街道、3个镇、0个乡









上街区(下辖2个街道、8个镇)







哈吣营,西藏自治区日喀则市拉孜县曲下镇,马刘,甘泉村,汇丰社区,洞口村,董口村,兴旺寨村,大坡村铁岗村,内蒙古锡林郭勒盟太仆寺旗、无锡市惠山区、朔州市右玉县、内蒙古呼伦贝尔市根河市、临汾市安泽县,阴坡村,誉品社区,胥口村红土坡,东源县上莞镇常美,坞桥










兴县(龙潭河镇、象州镇、_尊贵款28.988)、大龙街道、双凤桥街道、三圣街道、_特别款33.407) 龙巴村,张里村,前王村,敦灶村,东垛村村,向阳村村,永乐西北社区,天头坪村,后塘村曲靖市马龙区、宜宾市叙州区、榆林市子洲县、汉中市城固县、通化市辉南县,永清社区,小官场村,城关村,化理村江苏省连云港市东海县江苏东海高新技术开发区,商岗,洪坑村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。

值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。

第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。

第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。

第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。

第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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