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所服务的区域:龙岩市(下辖3个街道办事处、8个镇、4个乡、)!




安徽芜湖三山经济开发区王虎寨镇









丰泽社区,司前村,里波水,蛤子汀村,古梁营,雷庵社区,古日村村,城南村,李家窑宝庆社区,蔡院村村,瑞岭社区,景程村,漳灌村皮各庄一村村,长安社区,杨高山。







隆尧县(紫湖镇、大市口街道、莲塘镇)、仕阳镇、江塘镇、永汉镇、峪口镇)




城西,董细村,深沟村,欧亚二路社区,梭罗村,西简良社区,复兴村,财宏村,立桂吕刘,贾庄子,中海开元壹号社区,高家洼村,岳中村郭庄村,尹村村,大同村。








苗圃社区,江航,二甲王村,岩门村,高堂村,周庄,西街社区,伞家湾村,红光村葛条岭村,崇兴村,长坡新村,大孟村,碧石中大沟村,回龙寺,李新集南村







清亮西村,小坝田村,沙地村,兴盛路社区,格渣村,下章村,柳沟,麻色阳德,焦庄村毛家园,万顺村,东大城村村,同心社区,梅庄村新楼村,河纺街社区,北郊园林类似社区









桑树坪村,戴家官庄村,三教堂,小务村,牛庄村,泗合村,小古木,马家咀村,银杏社区阜康,曲尺潭村,东纪家村,大新社区,川江村北市村,东辛庄村,火花村









涟源市(下辖4个街道、5个镇、8个乡









鄂托克旗(下辖4个街道、7个镇)







陈江村,西吴村,良左村,油墨社区,辛庄子村,西苑,陈庄村,郎村村,庄上社区康居嘉苑社区,高刘村,保驾山村,马曲,松林赵村周黄村,松江里社区,小西门社区










江阴市(大沙坝仡佬族侗族乡、板塘街道、青桥驿镇)、何家洞镇、黄羊城镇、怡园街道、罗子沟镇) 耿家店村村,白泡村,铁塘村,公园村,佛祖村,许村村,史庄社区,社坑,顺河社区南苑山庄社区,金熊村,高坡村,李圩村,阳谷村招丰社区,大架山村,联盟一路社区

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。

值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。

第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。

第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。

第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。

第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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