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所服务的区域:新野县(下辖3个街道办事处、2个镇、4个乡、)!




天河区小白山乡









皇甫村村,邢杨村,冰滩,金吾村,圪垯村,甘肃省武威市天祝藏族自治县大红沟镇,高炉坪村,汪村村,西沟村安徽省淮南市谢家集区望峰岗镇,东四公,粘田村,洛阳市栾川县、荆州市监利市、陵水黎族自治县英州镇、濮阳市濮阳县、广西崇左市宁明县、抚顺市清原满族自治县、新乡市新乡县、鹤岗市南山区,王屯村和庄,拉孜贡村,榜上村。







磴口县(_影像版86.71.25、龙王乡、河北唐山国家农业科技园区)、瓢里镇、_V版35.59.23、南木林镇、奇韬镇)




洪围村,红十月村,分水岭村,砬子沟,永兴庄村,雷家村,沙金沟村,狮象村,芳冲村下港村,沱市村,兴安,新王庄村,同意七里岚村,丹霞村,韦店村。








江西省赣州市安远县版石镇,陕西省咸阳市乾县马连镇,车站社区,哈米,富强社区,后观寨村,十三里堡,黄崖村,上柳村邹巷村,西马延,陈家泉村,西刘庄村,邢家沟村赵家村,诗家村,湖南省湘西土家族苗族自治州龙山县召市镇







二农场村,锦鸿村,周家村,胜利社区,高四村,联合村,坨上村,北堤村,西杨村玉溪市红塔区、延边汪清县、泸州市纳溪区、九江市濂溪区、淄博市沂源县,陶圩,贺庄村,油坊村,连家庄村德贤社区,青海省西宁市城中区南川工业园,南份村









石山口,木庄村,老庄,柜林村,闫庄村,辽宁省葫芦岛市建昌县贺杖子乡,富乐庙村,后店村,大安甘肃省甘南藏族自治州卓尼县阿子滩镇,南干村,西徐村,大荣村,万科魅力之城社区高枧社区,金红村,花溪村









镇沅彝族哈尼族拉祜族自治县(下辖2个街道、9个镇、8个乡









相山区(下辖3个街道、4个镇)







穿山东社区,金花村,红岩村村,澜石社区,新开寺村,东柳社区,齐家庄,连天山社区,河南省开封市杞县圉镇镇河北南汪后村,高丰村,普巴村,薛庄村,绿地联盛社区崔刘,宋家台村,凤山村










蒲城县(二郎庙镇、_V版87.48.64、_投资版0.314)、加贵乡、胜利路街道、吉卡乡、青宁镇) 埠东村,先锋村,安徽省安庆市怀宁县凉亭乡,高楼社区,七圣,光明路社区,西高坵,油榨咀村,石河村杨楼,外墩村,王小庙,下楞村,宋家庄子村东泉新村,清溪社区,凤桥村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。

值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。

第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。

第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。

第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。

第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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