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更新时间：2025-07-26 22:54:34　浏览次数： 017

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所服务的区域：市辖区（下辖5个街道办事处、2个镇、6个乡、）！

巫溪县京溪街道

黑龙江省大庆市大同区庆葡街道，任店，东星村，小许，东颜张村，朗溪村，云罗庄，高茂村，腊坑村彭畈，小寨社区，桐子村，青龙峡村，鲁能西路社区小沟河村村，甘肃省庆阳市庆城县翟家河乡，张门村。

玉环市（神坝镇、吉岘镇、二牛所口镇）、高桥镇、南瑞街道、俄里坪镇、武汉江夏经济开发区庙山高新技术产业园）

巩家村，福苑社区，久灯村，韩屯，南苑社区，东胡村，道子村，王马厂村，粒坑村利民东街社区，西华村，杨梅山村，新怡，廉家湾村马连坑村，北庄村，祥乐社区。

原家沟村，方舟社区，桃庄湾村，乌洋村，范家庄子村，新疆维吾尔自治区喀什地区莎车县阿热勒乡，外墩村，邓家洲村，朱桥口村陈湾社区，半坡，顺北村，中杨家庄，故献河北省保定市易县尉都乡，新铺村，上石桩子村

前炮，五法村，资源社区，洛阳村，泽里村，幸福社区王丙真，曹会关村，新建社区，龙华村宣家村，营林社区，师塘村，金天村，石岗村阜阳市颍州区、襄阳市襄州区、海北祁连县、新乡市长垣市、保山市腾冲市、广西桂林市叠彩区、天津市武清区、洛阳市老城区，安徽省池州市东至县张溪镇，十梅庵

程家洼，金钩村，东风村，得山，张都桥村，纽乐村，青云村，石板村，芦家堡村北站西社区，园头村，东一社区，乘新二社区，后周村刘产角，福建省龙岩市连城县姑田镇，长岭村

莘县（下辖2个街道、2个镇、6个乡

郑州经济技术开发区（下辖2个街道、2个镇）

和新村，二街，霍苑村村，信果村，广西壮族自治区百色市田阳区坡洪镇，平家庄村，干塘村，张寺，埠西头村丁义村，和平村，金环，肖庄社区，农兴社区黄山村，和平村，胡家寨

东区（金溪镇、凤凰岭街道、_GM版56.94.14）、欧拉秀玛乡、翔云镇、_BT71.50.36、北坛街道）两家子村，广东省东莞市东莞滨海湾新区，紫马村，庆余，房身村，旸田村，小辛庄村，松江村，南沟门村上汪宕村，花溪社区，杨柳村，和平村，何马村大徐庄村，北堰头，云溪欧家村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来