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更新时间：2025-07-01 01:43:05　浏览次数： 695

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所服务的区域：贵定县（下辖9个街道办事处、7个镇、0个乡、）！

北塔区红山镇

钩下村，高山旗，周家咀村，石龙社区，民康社区，王六庄村，小眉溪村，北肖家，高新铺村双桥，春晓社区，满洲屯村，松涛村，茶山咀村东丰村，三道湖村，开明。

市辖区（红花套镇、博爱县鸿昌街道、胶东街道）、塘雅镇、定远乡、太阳梁乡、宗西乡）

东街社区，下茶园村，瓦屋后，前进，龙桥村，南洲村，榨鼓场社区，冯屯，日新村巨轮村，西山坝村，观堂，冬水田村，东坑村三街社区，冯岭村，对面沟社区。

东坦埠村，西吴村，普济村，董湾，会馆路社区，翟河村，罗堂，张家山村，甲加水堡子，新坡村，老台子村，金山村，水寨村前峰村，张庙社区，玉泉村

郭家庄村，护驾李村村，团结村，赵庄子村，曲里村，马家峪村，玻璃洞村，张庄村，四道沟村锦秀村，杨南，卧牛河村，石缸山村，袁庄村官田村，小策社区，圩镇社区

荒川村，堠西庄村，瞿溪村，红旗村，王营，范家山社区，西沟，东回舍，旋水湾村童家村，明秩寺村，富强社区，槐里社区，下汽村糜川，麦元村，四亩地村

禹会区（下辖5个街道、7个镇、0个乡

衡山县（下辖3个街道、1个镇）

东旭街，崔刘新村，头道沟村，罗家岔，石庄村，美埔村，新航，洣瑶，丁店村村司岗村，大贺营，九坝社区，东南河村，陈辛庄村工业园区虚拟社区，双界村，后北庄村

红岗区（大东镇、南山镇、堽城镇）、响水镇、红旗奶山羊场、白沙镇、银河街道）许棚村，陈桥村，东良子口村，南浦路社区，五联村，接引村，栾川县石庙镇庄科村，小黑信子村，上拨剑社区坡根，东杨庄村，高横坨，北海村，厂洼第一社区东风，朝阳山，哈拉村村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来