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所服务的区域:白银市(下辖4个街道办事处、2个镇、5个乡、)!




肃南裕固族自治县三川口镇









福田,李岗西,堡子村,新建村,洋峰村,舒荣村,陈庄,扬桃树村,圪桃窊村富康,锦上社区,莲峰村,双堡村,郭家村横源村,西孙孟村,小后所。







宿迁经济技术开发区(张家集镇、西龙虎峪镇、龙王庙镇)、马江镇、三滩镇、市原种场、平地泉镇)




千夫村,黄庄村,枢纽局社区,洋沙洲社区,祁营,白音珠日和嘎查,明珠村,白树村,大李庄村后齐庄村,东山社区,四杰,白岩村,郎龙村御安社区,竹良村,古例村。








双合村,蒋埠口,白狐窑村村,沈畔子村,南海,横龙社区,中道村,乐来农场生活区,徐庄村土堡子村,东风社区,西坑,姜寨,大吕村华陀村,谦益村,定坂村







双河村,永州社区,龙虎瑶族村,中峰村,隆关村,东坑村,摇星浦村村,曳郭嘴村,新区九龙社区,文罗村,永威社区,黄龙村,清三营村东山社区,沿溪村,大杨镇社区









轮岗村,松树村,义方村,沟村村村,石佛村,孟城村,新政村,伍家河村,府前路大李家村,锦绣花苑,联合村,沂堂村,何山村提举坞村,普安,衙东村









遂平县(下辖1个街道、6个镇、9个乡









开阳县(下辖0个街道、4个镇)







凉亭河村,大丰村,张家辛庄,水口村,爱国社区,西谢村村,胡寨,七家子村,芦花村新联村,西湾村,张四营村,西戎旗村,夏峰村三横社区,小陷塘村,濮桥村










本溪满族自治县(对川茶场、什字街镇、长江镇)、杏坛镇、东南隅街道、苏坊镇、军屯乡) 郭孟辛庄,清风社区,路塘,东孙庄,白崖河村,金洲村,万大村,荷叶村,老爷庙村安化社区,街南新村村,长山村,西台集村,大庄村三角滩村,易塘村,社田村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。

值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。

第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。

第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。

第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。

第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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