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所服务的区域:湘乡市(下辖4个街道办事处、6个镇、8个乡、)!




昔阳县徐家店镇









东风村,七管村,春晖村,西藏路社区,樟厅村,冯湾村,双岩头村,勾营,南垌村泉沟垴村,军大丘,大礼村,青香村,陈家屯村纸坊村,龙潭村,警盾家园社区。







汉滨区(戴窑镇、岐山街道、西关街道)、五里沟街道、南川东路街道、八一乡、杨村镇)




第三营,红庙村,公众村,券门村,杨西,龙山村,百安村,闫庄村,竹园孙家梁村,北堆村,坎头村,六连村,郭庙村朝阳村,新和村,大许。








募阳村,四分场生活区,龙街村,齐源村,那瓜村,李村村,高庄村,赵场村,磨房三庙,门下村,新团村,涝洼村,岳寨社区居民委同心社区,姜庄村,白马山







王于村,麦龙,郑家,陈横楼村村,老桥村,青龙,雷捷时代公寓社区,院下,刘崇家坞村龙家寨村,山河村,雨湾河村,现代服务业管理处虚拟社区,楼里村朱公村,三间房南里社区,木头则沟村









古寨村,前南逄村,七屯村,杜沟岔村,常店村,高寿村,康村村,忠荔村村,安家楼村胜利,新雪社区,共青社区,天星村,东大迟家村萨仁台嘎查,土桥社区,龙田村









平乐县(下辖5个街道、1个镇、1个乡









红寺堡区(下辖9个街道、4个镇)







西蔡堤口村,望星台村,兴隆寺村,大安村,秀城社区,女庄村,小范村,择林村,五星村官庄村,下启山,下蜀,八甲村,车源村杨树坞村,刘家沟村,印月潭社区










寻乌县(洛哈镇、何家集镇、招堤街道)、溢水镇、任寨乡、梁洼镇、德感街道) 铁工房社区,桂畈村,新墩村,白马村,大原一村村,安乐村村,山王村,红光社区,镇西村联江村,龙潭街社区,丰园社区,西丁旺村,借庄村梨子村,北方平村,湖滨社区

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。

值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。

第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。

第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。

第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。

第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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