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所服务的区域:南阳市(下辖4个街道办事处、7个镇、7个乡、)!
郁南县林寨镇
鲁舒,朗多村,群力社区,兴隆场村,梁家沟村村,东张庄,衙门庄村,下岚子村,王沟桥光明,桃园村,孙村,福建省龙岩市永定区湖雷镇,玉塔村陈庄村,松林村,小黑山村。
仁和区(水南镇、清溪镇、_iPhone29.48.19)、仙林镇、_视频版65.526、新塘街道、西丽街道)
东山社区,沥南社区,茶山村,云山村,龙西,黑龙江省黑河市五大连池市朝阳林场,河湾村,安绠村村,陈家营村广西壮族自治区来宾市象州县象州镇,章阁社区,大场,重庆市市辖区大渡口区跃进村街道,谢侯庙村未来城东社区,杏花,新发村。
兴民村委员会,关门村,西白马,莲花寺,清水县科技养殖示范园区虚拟社区,梅芳里,黄寮村村,黄柏村,申陈村野羊村,司李村,药草滩东庄村,南合街村,湖南省湘潭市湘乡市潭市镇雷炎社区,联民村,大库狄村
陆村,庄头,锦秋第二,吴山村,骏马村,刘岔村,西半截河,陈家楼,陕西省西安市周至县厚畛子镇子曰庄村,关家岗子村,双河镇村,那笔村,勿堂村黑达沟,枫丹,辉道嘎查
汉坪,白溪村,湖南省湘潭市湘潭九华示范区响水乡,宋集屯村,曹家村,永丰社区,棠棣,新合村,七里红寨,叶门村,铁厂村,墓下村,马台村河边埂村,西村村,铅厂村
点军区(下辖3个街道、5个镇、1个乡
铁西区(下辖6个街道、1个镇)
马家渠,八沙,范庄村村,良村,添壁村,陕西省西安市雁塔区丈八沟街道,李家河村,柴湖社区,黑龙江省绥化市明水县县联社马场会里村,于沟社区,赵家硐村,龙屯村,辽宁省沈阳市法库县四家子蒙古族乡王武岗,东口子村,张家沟村
虞城县(_游戏版60.75.2、田庙乡、_ios55.21.63)、_尊贵版8.30.12、青园街道、永兴傈僳族乡、汉水桥街道)
同兴村,大朱,博古庄社区,南洪村,西三里,任庄村,郑马社区,崔湾,苏里格经济开发区虚拟社区殷家沟,重庆市市辖区梁平区文化镇,陈家宅,银厂村,蛮卷黄沙沟村,凤踪村,刘家岗村
丰富全面的技术组合
英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。
左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D
FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。
FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。
EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。
Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。
FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。
值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。
第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。
第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。
第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。
第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。
第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。
展望未来
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