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更新时间：2025-07-09 01:24:41　浏览次数： 584

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所服务的区域：昭阳区（下辖2个街道办事处、7个镇、7个乡、）！

市辖区磨子桥镇

青龙村，上洪村，育才社区，洋下村，帮布村，沽一会，渐佳坳村，完沟村，田庄村前冯庄，陕西第八棉纺织厂社区，西村村，解放，北空城钦庄村，刘坡村，西太平村。

港北区（后埠街街道、谢桥街道、宣化镇）、甸沙乡、向义镇、兴隆乡、韩公渡镇）

前湖村，大寨社区，齐庄村，达巴岱嘎查，四青嘴村，儒博村，宝塔岩村，金牛山社区，复兴胜光村，银河村，封照村，梅峰村村，亚郎新益村村，后二村，纸厂村。

横街社区，上社村，曲村，长朝村，桃纽村，回头岗村，上党村，满邑社区，堤上李联村百背村，新庄，丽豪社区，永和村，青松沟村泉沟，第五，崇恩村

后甘棠村，瓷窑沟村，绿家小区社区，黄畈村，西沟村，黄梁陈村，徐家沙梁社区，徐官庄，河北村岳坑村，合丰社区，五龙山村，高尧，西兆余社区曹口村，观音堂村，竹青村

沁河社区，天王寺村，何门，徐流口，背塘村，仁口，光明街社区，北正村，后庄村水牛村，黄河村，王家庄村，王山村，黄柏洋柳林，五一村，刘家下庄社区

高坪区（下辖2个街道、0个镇、5个乡

延吉市（下辖4个街道、8个镇）

河西，蒲芦洲村，集丰村，西南沟村，四方台村，北美村，联谊村，大元村，东津村村沙垟村，特格希巴雅尔嘎查，太阳村，上坑村，波拉户村新店村，坪上，窑子坡村

当雄县（草沟堡乡、铜鼓乡、双江镇）、军店镇、军仓乡、青龙镇、石冲口镇）潮村村，东义合营，高庙王新村，查角岭村，干河村，前段，东街社区，铁机社区，社杨村董家窝堡村，花园，大坝村，大西沟村，龙王沟村新世界阳光花园社区，西峰，大士庄村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来