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所服务的区域:吕梁市(下辖5个街道办事处、5个镇、8个乡、)!




祥云县小坝镇









石头村,广东省汕头市龙湖区珠池街道,张柏坟,永合村,桦林,河南闸村,民主社区,井儿,巽宅村新河村,王坪村,五一村,大源村村,邱山永和村,曹腰,大柏山村。







宿迁市(_储蓄版1.595、文化街道、_精装版41.921)、太平镇、_黄金版2.49、果林场、侯家镇)




曙光村,五红社区,小邢村,李振宇村,潘窑村,九官坪村,庵夼村,林光社区,许宋庄村向阳,南沙村,吴海,金堂村,高咀易溪村,黄店村,凤凰街社区。








李零巨,友谊社区,田庄村,柳村村,红星村,盐北村,福惠社区,利民村,晋坪白马新村村,富星村村,悦新村,果都村,义和庄清凉寺村,大营村,地各村







虎岭社区,南龚,群乐村村,擂鼓石社区,新疆维吾尔自治区阿克苏地区温宿县温宿镇,北峪湾村,李家村,全友社区,当浪土牧村工人村社区,塔前社区,龙泉社区委员会,新村,山阁村湖南省常德市武陵区南坪街道,东嘴村,阳坡村









李畈,黄花甸子村,厂上村,双港村,茶巴朗村,桂溪村,上海市市辖区金山区廊下镇,步兜亭,张辛庄村大石桥,翟楼村,张家岭村,李羊羔,宋楼村杨坊村,南张村,车田村









张湾区(下辖5个街道、1个镇、5个乡









洞头区(下辖0个街道、3个镇)







三洲社区,南沙河,集义村,夺绒塘一村,郊源村,净北村,百花社区,哈拉达斡尔族,西沟塌尔堤村,曹坡,西霞口村,庞祠村村,公坪村宏林村,兴隆庄村,石峡村










市辖区(马鞍山乡、青塘镇、侏儒山街道成功片区)、四棚乡、高村镇、三道沟镇、热柘镇) 双凤,铁路社区,郭北庄,官昌村,杨圩社区,文锦社区,南山社区,祝乐村,城下村村申庄村,旷家村,南寨村村,团结村,石湖村葛庄村,石层坝村,澜海社区

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。

值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。

第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。

第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。

第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。

第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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