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更新时间：2025-07-29 21:02:55　浏览次数： 985

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所服务的区域：肥西县（下辖4个街道办事处、2个镇、2个乡、）！

泉州市长桥镇

建民村，下街，大泉湾村，洛阳市涧西区、五指山市番阳、大同市云冈区、嘉兴市南湖区、大同市云州区、广西钦州市钦北区、双鸭山市岭东区，木桥村，方沟村，长里，龙滩子村，村头社区吴岸村村，红旗林场生活区，潮州市潮安区浮洋镇凤仪，西藏自治区那曲市聂荣县永曲乡，苏家墩社区三界社区，沙塘岸社区，东风。

吴堡县（西淮坝镇、韦岗街道、杏寨乡）、孟石岭镇、大麦屿街道、康熙岭镇、白鱼湾镇）

广家洲社区，古仁村，西街社区，焦山，河坑村，人和社区，东方丽景社区，稻田村，朱冀庄村规划一区，东拗榆树村，西南村，高联村，鲁坎村洋都社区，大陈家河村，太古庄。

麦园林场生活区，雅吉村，下江村，早阳村，蔚彩村，四川省凉山彝族自治州木里藏族自治县克尔乡，清河村，奉贤，牟家沟村围镇村村，军章，周村，银山后，解东村枫林村，魁玉社区，金荷社区

普陀村，渡头村，后庄，新昌村，柳树营村，沈家庄，二十里铺村，递步，塘民村三保村，天台村，西山社区，南张官屯，秦宓社区旺盛村，刘坑东村，刘家洼

深峪沟村，马龙港村，达孝社区，众平村，木榔村村，英建村，树坝村，太平村，龙池村高田村，甲格庄村，富涧村，广蔺社区，方南家园社区临兴社区，曹关村，贻谷村

潜山市（下辖9个街道、2个镇、3个乡

湘阴县（下辖1个街道、9个镇）

大安社区，大田村，茅溪村，高三村，胜利村，福田村，潘家村社区，乔庄村，东甲兰营村吾子，东正社区，新疆维吾尔自治区自治区直辖县级行政区划阿拉尔市金杨镇，岱尹下，文明村丰河苑社区，石柏社区，小南邢村

石龙区（回隆镇、黑石渡镇、上营镇）、瓦洛乡、郭楼街道、_终极版9.166、万安镇）北街社区，斜坡村，马烨，长山村，北大韩寨村，仙霞，新贾村，恩德里社区，山头村村大碾村，江西省南昌市南昌县鲤鱼洲管理处，开阳村，崔家沟村，毕家范赵村，梽木村，下湾村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来