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所服务的区域:曲周县(下辖6个街道办事处、4个镇、1个乡、)!
市辖区衙前镇
拉定村,半路张村,赵家村,北刘家庄,老田村,团结街社区,湖北省宜昌市长阳土家族自治县鸭子口乡,洪内村,西杏山村马老庄,西二营村,石虎社区,大尧村,谷马纪家村联丰村,甘冲村村,于家庄村。
市辖区(大河湾镇、天池镇、新元街道)、_桌面版1.847、_入门版8.986、_铂金版3.259、阳朝乡)
红岭社区,水木城典社区,那巴村,大马家峪村,潭牛墟社区,朱家湾村,竹山,大吉岭库生活区,石城村曲江,芜湖市无为市、广西百色市田阳区、龙岩市永定区、甘孜色达县、南平市延平区、内蒙古锡林郭勒盟正蓝旗,金城,寇塘村,连平县元善镇东联街道,崖磘上,化肥社区。
铁山,拱腊,高店村,东近同村,学田村,岳家岗村,小墨山村,夏明村,东张古枣园路,茄子王村村,李家村,富华社区,江口村春园社区,阿尼村,双井社区
采基村,飞宇社区,娘娘庙,西陂村,林家湾村,万丰社区,故漳南村,湖北省荆州市荆州区菱角湖管理区,东关社区虾雄,程樊村,张坊村,西淮沽村,宜村村果子园村,周正村,东方社区
金珠社区,东悦城,头庄社区,茶坑村,街西村,小关社区,河北省石家庄市长安区青园街道,赵家尧河村,常新社区街道村,中山市东凤镇、大同市新荣区、云浮市云城区、长沙市雨花区、辽阳市灯塔市、徐州市贾汪区、广州市天河区,石峡梁村,河北省张家口市张北县二台镇,马冯蔺护庄村,渡口村村,民政村
锡林浩特市(下辖6个街道、8个镇、5个乡
垦利区(下辖6个街道、4个镇)
营顶村,大荒沟林场生活区,山上村,军屯村,杨台,红门寺村,一碗水村,麒麟村,苇塘村菜花泾社区,韩梅村,凉河村,黑龙江省佳木斯市抚远市浓桥镇,深水村团结村,西小寨村,巴谭社区
贞丰县(围垦区、米峪镇乡、拉巴乡)、青山桥镇、_V78.78.78、杨梅山镇、华富街道)
园艺村,东上村,大岩村,新民社区,贲贲淖村,卓里村,西纸坊社区,永兴村,乌龙川村玉戴河村,梁庄,双龙村,常东村,龙泉村八道岭村,西纪沟二村,永久村
丰富全面的技术组合
英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。
左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D
FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。
FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。
EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。
Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。
FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。
值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。
第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。
第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。
第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。
第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。
第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。
展望未来
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