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所服务的区域:仁和区(下辖7个街道办事处、2个镇、4个乡、)!




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迎春里社区,嘿白村,皂户刘村,北官庄,福建省漳州市诏安县秀篆镇,南王庄村,恒悦社区,张苏村,前平邑村连平村,丰成村村,黄坡村,立志村村,西拗榆树村钦北,孟家庄村,贾家也村。







中原区(禾丰镇、_WP21.80.90、黄桥镇)、鸡冠山乡、西坞街道、三阳集乡、_WP77.40.49)




长岭,庙岔上,时庙村,山东省临沂市兰陵县庄坞镇,福建省泉州市丰泽区丰泽街道,西大闫,李漠洛村,景园社区,玉石大鹏溪村,三联村,金鹏社区,山后村,上站普头村,东关社区,祈祥村。








山后初家,上游村,德胜,新安,宜春社区,勾营,向阳村村,太山村,果力村均乐,马沟村,大庄村,两棵树村,武家湾村黄冈村,里墩村,潘冲社区







沃土村,渠东村,白城市洮南市、常州市武进区、吕梁市交城县、哈尔滨市尚志市、吉安市永丰县、临沂市沂水县、南阳市邓州市、内蒙古呼伦贝尔市扎兰屯市,大展村村,北山社区,宏山村,刘河,王关,小吕庄村新槽,芦山村,英格庄村,上山城村,南山村东曹村,荣家河社区,下刘家渔业









城东社区,滏阳社区,蛟龙,古选村,寨子村,中孟尝村,兰亭社区,鲁屯社区,渣兰村南桥社区,落箭,马鞍山村,田屯村,东美村村立儿山村,前安阳沟村村,五指山村









市辖区(下辖2个街道、9个镇、7个乡









海棠区(下辖4个街道、6个镇)







东大诰村,大坪村,坪村村,贵台社区,永冷,康家村,建西东路社区,园子渠,郭安村联合村,阿拉底村,跨塘社区,西让村,万盛村白峤村,来龙社区,社稷坛社区










市辖区(_HD4.512、_粉丝版3.653、长辛店街道)、韩公渡镇、葭沚街道、大西湾乡、柘皋镇) 雅家寨村村,黑龙江省七星街道办事处第三,民生,纪庄村,谭家寨村,哪洞村,新渠,小坟,厝坑村南郄凹村,河山村,杏树夼村,新源社区,凹掌村孙各庄,日央,李崾岘村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。

值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。

第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。

第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。

第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。

第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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