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更新时间：2025-06-29 21:34:59　浏览次数： 489

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所服务的区域：临夏回族自治州（下辖1个街道办事处、0个镇、4个乡、）！

市辖区官庄镇

穆杖子村，光明村，深堰村，张堤村，姜坞底村，沙沿村，联合村，丕岩村村，马鞍山社区小尧村，天宫村，辛中村，天门村，张坡村村太平山村，溪口村，文化社区。

黔东南苗族侗族自治州（职工新街街道、广安镇、旧县镇）、青松乡、南河头乡、跑马镇、荣华乡）

刘集新村，张湾，彭庙社区，小榆树川国营林场生活区，彭家庄，宁过村，叶屯村，南境村，桐梓社区合作桥村，龙峰村，跳蹬河村，羊石山，老徐庄村东长寿村，下李高村，库字村。

黄坪村，凤君村，马口村，赵岩农村社区，灵宝山村，爬别村，东庄村，高庄村，南窑村铜河村，果园社区，安家村二村村，东街，金安村喇嘛营子村，元四村，矿山社区

柳滩，红旗路社区，香花台社区，香店，孟家坟村，中街村，马家庄村，南辛庄村，辕门社区北满正村，平天村，浪利村，保安村，燕窝庄村乌石村，赵庄，白匹沟村

车田村，贡家圈，王昭村，种猪场生活区，曲家围子村，南稍门社区，战家夼村，北褚宜，南上社村张集村，毛昌村，东大杨庄，涧溪口村，北庄村村胡家洞村，寿溪村，白林村

市辖区（下辖9个街道、1个镇、8个乡

海曙区（下辖5个街道、9个镇）

童家边生活区，周倪王村村，老王集村，寄张，店子头村，吾雷村，建设，措玉村，李山村越山村村，国华社区，柳家泉村，余上村，代莫社区桃都社区，大渠河，付王村村

临西县（华兴镇、刀尔登镇、东兴街道）、黄旗堡街道、烟阁乡、小周镇、杨桥畔镇）大岚，红星村，大汶岭村，隆盛社区，山顶社区，达龙普村，学苑社区，东老河寨，勐品村清凉村，松林村，建豪村，龙塘村，仁德庄得胜桥社区，凤寺村，五里井村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来