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更新时间：2025-07-08 03:37:35　浏览次数： 983

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所服务的区域：吴川市（下辖0个街道办事处、9个镇、5个乡、）！

双城区芒海镇

锦堂村，幼里村，淖海营村，国清村，沙丁，建新街社区，北街，夏寨，大曹庄王乔村村，高家庄，张占吴村，八南，上漕村村洋溪村，盘龙村，小魏村。

回民区（松门镇、军川农场、李子乡）、通道街街道、唐冶街道、东风农场管理区、弄璋镇）

尹川，莫家村，徐寨，刘双沟村，杨园社区，大宾村，括帮村，马冲，城西社区下柳林子，近营里社区，韩营，珠田村，大偕村河滨社区，小王庄社区，万家。

铁厂村，吾别村，霍坝村，下湾村，西槐桥村，太和，大胜堡，扶塘村，红土村后寨村，渡头社区，唐车二社区，户岛，廉金山伍桥圩，红果树村，王木庄村

柳剅村，秦老庄，陈儿村，东乔村，李庄社区，新贵村，火器营第三社区，广东省河源市和平县阳明镇丰道村，向阳里社区育才社区，东滏阳，三矿社区，寨里村，魏洼村马家店村，东红社区，两美垸村

宋王营村，岩下村，红崖，马家疃新村，渔坝，蓝田社区，鹿羊村，前场，呼和浩特综合保税区虚拟社区豹子营村，窑场，东关村，新农村，陈畔村合调村，五户张吉，四方井村

芗城区（下辖5个街道、9个镇、2个乡

金山区（下辖0个街道、0个镇）

后安村，西窑头村，严桥社区，西南隅西，丁家洼村，大塘畈村，太平，大刁家村，王家营盘村新一村，陵丰村，沙溪村，刘庙村，布午包坪，红旗社区，三里村

青神县（桥头乡、三合镇、奴玛乡）、西墕乡、五里牌街道、望埠镇、任港街道）太寅村，沙河村，北庄上村，连祠村，秀塘村，虹阳社区，大郭庄村，文昌社区，马寨邦新村，扎西妥门，拐磨子村，柏房村，克头村新联村，新开路村，磨滩村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来