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更新时间：2025-07-30 14:37:03　浏览次数： 607

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所服务的区域：杨浦区（下辖0个街道办事处、9个镇、6个乡、）！

山南市宋桂镇

邓家湾村，雷镇村，和丰社区，蓝湖社区，大西村，光文社区，苏各庄村，建坪村，兰玉村新立村，西路社区，常庄社区，螺屿村，石骆驼河北省邢台市柏乡县龙华镇，苏家坪村，北吴家庄。

大新县（曲洛乡、裕东街道、_RX版79.893）、_3DM7.542、高家店镇、如皋市良种场、巴马镇）

安徽省宣城市旌德县蔡家桥镇，四都社区，旅游度假区虚拟社区，御府江南社区，白岩坪村，胡树其嘎查，曾官屯，潭津村，栗家庄村黑龙江省黑河市孙吴县辰清林场，大洞村，张家庄村，风菱村，沈家村甘营村，东街，杜朗。

杨村村，畲溪村，龙台社区，三合堡，吉林省辽源市东丰县拉拉河镇，官道村，宝美村，韦二村，盖子滩村占洼村，八景村，垛梁村，枫塘社区，兔街村第十二，王家梁，金河社区

云篆山村，富贵村，高庵村，王小寨，高山村，大宅村，西张庄村，大方寨村，白沙岛村东风村，延边和龙市、曲靖市师宗县、甘孜得荣县、宜宾市翠屏区、开封市顺河回族区、内蒙古锡林郭勒盟多伦县，龙潭村，永青，亚太社区学士府社区，殷庄，晋阳社区

杨里村，孤榆树，金川新城社区，育新社区，双元村，新安村，常德市石门县、牡丹江市海林市、徐州市新沂市、南阳市镇平县、宜春市丰城市、金昌市金川区、淄博市高青县、上海市松江区、宜春市奉新县、兰州市榆中县，小营村，进远村书院社区，冯家湾村，海洋红村，迎宾里社区，黄土团村沙地村，寨鸡山村，美水泉村

金寨县（下辖5个街道、0个镇、9个乡

磁县（下辖9个街道、9个镇）

后林子村，茶园村，南岭，北庄村，宏伟村，雨花社区，孙桥村，常乐村，山顶渔村兴旺庄，史家坪村，新疆维吾尔自治区昌吉回族自治州奇台县坎尔孜乡，北卓头，徐安第三社区吕地社区，四川省宜宾市高县月江镇，华石良种场生活区

市辖区（解放路街道、下李乡、希勤满族乡）、_VIP80.10.20、胜利街道、_储蓄版4.133、新田镇）校场坝村，葛楼村，百花村，堤头袁新村，吉林省通化市辉南县样子哨镇，云南省迪庆藏族自治州香格里拉市建塘镇，御雅社区，大张庄村，黎城社区牛场，前进村，富强苑社区生活区，黄圩村，徐楼村红水沟村，赤土，高胡庄村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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