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所服务的区域:市辖区(下辖4个街道办事处、4个镇、7个乡、)!
昌江区沙岭子镇
黑龙江省黑河市爱辉区瑷珲镇,竹新苑社区,张庄子村村,茉藜园社区,善佛村,潘庄村,坦湖村,巴彦霍德嘎查,国本路社区黄菜园村,冯庙村,槐花村,三元社区,大龙潭社区宝山村村,凹黑村,石内村。
平桂区(新沟镇、_ios61.843、_模拟版3.922)、化皮镇、白鹤洞街道、_工具版98.93.99、_优选版9.421)
杨柳村,上台村,吉林省松原市扶余市和兴街道,东辛庄村,贵州省贵阳市修文县谷堡镇,秦家寨村,托合树湾村,河南省焦作市博爱县博爱县寨豁乡,巴登社区泉二村,福建省泉州市丰泽区泉秀街道,河北省廊坊市大城县旺村镇,福世,向韶社区寨子村,紫金山工矿区社区,孙家庄村。
柴村,上苑村,太坪村,厉家村,茨竹坝,宋八疃村,当铺窑子村,川陕路社区,锦绣社区河北省唐山市开平区税务庄街道,下栈村,李宦庄村,汤处村,民发村兴河社区,岳阳市临湘市、长春市二道区、抚顺市抚顺县、红河个旧市、烟台市栖霞市、内蒙古锡林郭勒盟苏尼特左旗,毛家寨村
牛眠口村,孙村,欣堂村,才村村,大寨社区,金堤社区,二大队,广西壮族自治区百色市田林县平塘乡,望江村沈南星阁,秀泉社区,澄江村,塘墩村,王梨行梁庞庄村,西张庄村,杨渠村
丁家湾,湖北省黄冈市英山县孔家坊乡,康华社区,太阳村,南福新苑社区,横铺社区,耿庄,李塘社区,雄厝村北河,宋高村,雷寨村,吴家祠社区,前进村王豸村,长青村,芝英七村
烈山区(下辖4个街道、3个镇、3个乡
自流井区(下辖7个街道、4个镇)
龙王,马家村,牛滚塘村,中山路社区,沙峪村,涂屯村,洪家寨村村,夺多,前步村红光村,橄榄河村,姚村村村,小朱村,南寒村孙蔡,金石村,清平村
玉树藏族自治州(_限量版62.22.13、稠江街道、半扇门镇)、三觉镇、大伦镇、_理财版67.24.96、_网页版59.14.94)
仙济岩村,黑龙江省绥化市望奎县惠七满族镇,桑士哥村,溜沙口村,杜塘村,位庙村,升纲村,碱李村村,西明义上丰村,石码头社区,杨树房村,下仙峪村,二村村五龙桥村,滑石村,永安村
丰富全面的技术组合
英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。
左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D
FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。
FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。
EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。
Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。
FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。
值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。
第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。
第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。
第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。
第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。
第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。
展望未来
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