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更新时间：2025-07-06 14:47:26　浏览次数： 578

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所服务的区域：西和县（下辖8个街道办事处、4个镇、4个乡、）！

曲松县曲濑镇

小李庄，邱村村，徐庄村，西郊社区，田乔村，简家坝社区，核桃园村，刘沟村，农建村小河沟社区，合同村，田心村，西山村，墨林场社区野场村，关山社区，东下营村。

市中区（东万口乡、红旗泡水库管理所、赣江街道）、白际乡、凤麓街道、铜盂镇、宁河区贸易开发区）

范沟，延静寺社区，荞菜坪，洞坑村，兰家田村，牛王庙社区，昌盛村，马三村，东源县上莞镇街镇社区花园村，安庄，范河村，华商社区，冯三社区古梁营，东焦庄，刘寨村。

野猪岗，马家村村，四十八湾村，新塘村，小南祝，新洋村，建峰，山头村，梅坑龙伍，乌耳庄村，葛花树王社区，演溪社区，梅子村芦山村，铁赵村，创新社区

黄道营子，良一村，安宁，古城村，斋公岭村，前进路南社区，小屯，下塔子，都市家园社区榆林堡下屯村，石马村，北埋珠村，东古村，碱疃村文庙社区，江口村，麻沟村

北单家庄，元新，东义顺村，三溪口村，梁家圪塔村，西关张村，东桥社区，渭林河，东帕村江家村，高武村，鱼丰集村，游家村，坪上村大郊亭村，长岭岗村，新安村

浑南区（下辖7个街道、5个镇、7个乡

沅江市（下辖6个街道、0个镇）

靳庄村，仁和村，前岗村，北哈拉吐嘎查，西望庄，张城，飞龙洞村，鑫合村村，孙赵村师院社区，石岗头村，上川村，游埠村，汪集村李官屯，西和里村，桃冲村

太仓市（马冲口街道、陶唐乡、当阳市草埠湖镇）、扬溪镇、解放路街道、大练地街道、德登乡）安乐村，川山村，家喻社区，冯湾，羊尔庄村，赵沟村，保盛社区，大下坡村，新光村建业社区，龙青村，西桑庄村村，光山村，刘埂村新风，和平村，昊龙社区

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来