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更新时间：2025-07-05 15:36:29　浏览次数： 921

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所服务的区域：赣县区（下辖4个街道办事处、1个镇、6个乡、）！

隆林各族自治县凤凰城镇

平瑞村，后川，虎头山村，辛家山村，白马河中路社区，龚何村，长新村，耳城村，杜家洼村洪庙村，西张相，桥南社区，庆丰社区，西关村澉南村，福怡苑社区，兰阳村。

襄汾县（裴家湾镇、柳荫镇、东孙庄镇）、仰山乡、江田镇、靖城街道、凤栖街道）

后湾村，阳光村村，磨形村，黄龙村，其塔木村，振兴村，墩背村，山塘村，王羌村春九社区，盘陀村村，北横沟，虹西村，块洞村发展村，桅子村，帅家铺。

青羊庄村，渔津庄村，温家湾村，海山社区，三村，土桥子村，晋公社区，瓦池河社区，日新村栗屯村，沔水畈村，五合村，赵马房，天柱山村富兴社区，西崖头村，贵人卯社区

孔家营村，普村，兴隆村，禾秋村，骆家池村村，揣骨疃村，慈云寺北里社区，渡善村，贺洼村公安岭村，盛家村，西石村，马寨村，北城枫景社区龙湾社区，杨楼村，寨头村

邵园村，同善社区，新塘村，榆树底下村，王三屯社区，西河街社区，吴家园西街社区，北下营村，大孔村滨河路社区服务中心，华严寺村，马崖，孟辛庄村，永丰威巴村，顺河社区，五联村村

北塔区（下辖8个街道、8个镇、4个乡

镇原县（下辖2个街道、8个镇）

敬母寺村，闵家村，滨河社区，唐坬村，纸坊村，东南村，中鹤社区，互助村，悦乐壕栗村，长冲村，扆山村，南港，荆桥村西地村，家园，柏旺村

蓬安县（树仔镇、通达街道、红岩溪镇）、新马集镇、亚沟街道、尺犊镇、花林寺镇）康太庄村，两凤村，路家村，东峰村，后边庄，马堤，细河堡村，双东社区，曾家羊角埠村，北田家窑，韩庄，阎家窝堡社区，华荫南里社区什木地村，东鹿斗村，道兴村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来