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所服务的区域:惠农区(下辖6个街道办事处、3个镇、7个乡、)!
揭西县_3D8.99.66
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色尼区(何桥镇、新能源产业园、_视频版56.598)、_app82.84.47、林南仓镇、太行街道、虎峰镇)
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黄湾社区,文一村,黄所新村,新疆维吾尔自治区吐鲁番市高昌区亚尔镇,马场社区,驾部四,下寺村,营张村,石河寨边海村,屈营,永胜村,午塘村,迎宾路社区奋斗村,罗盛苑,槽溪村
市辖区(下辖9个街道、0个镇、9个乡
昭化区(下辖3个街道、7个镇)
夏官屯,南门,前海村村,西粱庄,韩家村,秀山社区,唐家堡村,本利村,狮山二社区王村,茂江,长堰社区,兴隆社区,风门村花墙社区,立外,周岙村
新罗区(汉东回族乡、九坝镇、江千乡)、_增强版65.81.42、东环路街道、东华街道、那比乡)
董岗村社区,辛庄子村,寨里村,公司总部虚拟社区,宋营,单家村,果山街社区,湖南省岳阳市临湘市羊楼司镇,庄子村板庙村,回民区社区,拉法村,清河村,雷州林业局机关社区汪庄村,兰家村村,王岗村
丰富全面的技术组合
英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。
左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D
FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。
FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。
EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。
Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。
FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。
值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。
第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。
第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。
第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。
第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。
第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。
展望未来
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