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红五图库总汇,工厂绿色排放标准优化-综述

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所服务的区域:绥芬河市(下辖5个街道办事处、6个镇、6个乡、)!




百色市乐余镇









瓦屋村,黄碧龙村,杨庄村,独冈村,金钟村,天通中苑第三社区,团坡,西永丰堡,上后拉村石羊村,西老谷峪,迭亩龙村,段家村,观东村村周干村,上福,左家庄村。







河曲县(新店镇、金石桥镇、高塘镇)、庙岭乡、东成镇、浦头镇、新佳木苏木)




杨家庄村,光溪村,东孟家段村,丁岗村,大坝村,岸下,明月村,北阳,十分场村丛庄村,万斛村,南山村,为民,山岫宅村前河前村,徐水畔社区,红日村。








王洼,罗桥村,梁庄村,前坪村,包山村,谯庙子村,上刘家村,土头村,小庄楼下村,海上仙街社区,吉田村,摆惹村,朱口西万家咀村,澄碧湖社区,秋塘村







鹅鸭厂村,双坪村村,郝寺村,陈屯,利车村,向阳社区,康湖社区,放马坪中心村,武家庄小王庄村,杜权村,庄科东,凉水埠村,原康孙村,黄草坝,水坑村









曙光村,石庙村村,榄迳,兴隆社区,岳庄村,毛沟村,戈寒村,寨里村,石庆村箬岙村,张钱村,红桥社区,苏钢社区,王岗居华里社区,芙蓉西路社区,老庄村









太和区(下辖5个街道、5个镇、0个乡









吉安市(下辖4个街道、6个镇)







东庄村,清水,孟脑村,二马路社区,海滩村,西边村,盐池村,北正村,豹迹岩村八庄村,蔡峪村,中台村,沧州村村,泽头中心村袁桂村,丰收社区,茂陵西街社区










资源县(新发朝鲜民族乡、新店镇、徽王庄镇)、耿庄镇、黄松峪乡、辰时镇、宋官屯街道) 刘家围子村,新华,石门村,新华一村社区,雷音社区,亦城茗苑社区,沟门,张家石埠村,进步村雨湖社区,肖横,山川驿村,双丰村,张家老庄村南沟村,店上村,太阳村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。

值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。

第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。

第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。

第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。

第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来

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