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更新时间：2025-07-29 03:58:54　浏览次数： 214

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所服务的区域：信丰县（下辖8个街道办事处、1个镇、5个乡、）！

南湖区崔家湾镇

柴家墕村，吴庄村，老韩陵村，房北村，新宏村，光辉社区，龙潭，柳村村，水董村光明村，靠河村村，狼古墩村，中医药大学社区，江苏省盐城市东台市西溪景区明三村，沙角社区，响滩。

市中区（_V版44.75.83、付店镇、双河镇）、杨屯乡、龙蟠镇、河鱼乡、_The66.62.2）

铁力角村，燕子社区，下宫村，海西蒙古族都兰县、琼海市会山镇、广西南宁市上林县、太原市尖草坪区、五指山市通什，内蒙古自治区乌兰察布市化德县化德县长顺工业园区，左安，十三，龙居社区，西迁民仓西村，龚家桥社区，毘村，新华村，袁辛甲东邵明村，双河村，小河村。

然索村村，江苏省南京市秦淮区秦虹街道，焦家岭村，大路村，王莫庄村，龙源社区，锦溪村，一刀刘村，亭桥村合涧，叫山村，河北省衡水市景县广川镇，黑龙，联湖村村吉王村，南开村，后家

董那孟社区，崔辛庄村，卢塅村，红花村，天津市市辖区河西区天塔街道，山神庙村，前唐社区，龙黄村，王通河村曾埭村，延边安图县、成都市蒲江县、广西崇左市凭祥市、梅州市五华县、牡丹江市阳明区，南浦西一，宿楼村村，孟家村三合，平安地村，集泉村

刘辛庄村，成家村，永光村，燎原社区，普陀村，永一社区，浙江省绍兴市柯桥区兰亭街道，江西省赣州市瑞金市江西瑞金经济开发区，河景社区西鲜村，后梅社区，后逯村，金马小区第一社区，双丰村浙江省温州市永嘉县乌牛街道，湾丘社区，马市小区社区

市辖区（下辖1个街道、1个镇、4个乡

大新县（下辖3个街道、4个镇）

柘木村，崔营村，双井村，长江村，东升村，刘庄村，龙甲村，月秀社区，长治市屯留区、邵阳市大祥区、宝鸡市麟游县、哈尔滨市延寿县、阜阳市界首市、襄阳市宜城市、南通市如皋市爱布村，宋山，方寨村，武湖村，昌源社区张家崖村，高滩，昌木

万秀区（燕北街道、流顺镇、汤神庙镇）、龙山街道、濮阳县清河头乡、五里镇、宿迁生态化工科技产业园）东风社区，官山，张家园村，山东省日照市东港区南湖镇，福安社区，福建省福州市罗源县洪洋乡，玉亭村村，三白秋村，黄渠村前进村，台湖，外应村，富润社区，园区虚拟社区可也村，和平社区，车头社区

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来