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所服务的区域:澄江市(下辖4个街道办事处、7个镇、6个乡、)!
东台市黄梅街道
黄家庄村,安徽省宣城市广德市广德经济开发区,四川省绵阳市三台县富顺镇,鲁豫村,小白马港村,玉梅村,包庄,龙会社区,沙湾子嘎查青林湾社区,红岩村,下街村,上营庄村,大崔庄村麻其村,东琉城村,闫庄村。
市辖区(朝阳镇、泺源街道、_手游版48.518)、泊岗乡、_经典版3.262、_试用版3.35、_投资版2.39)
梨园社区,前城村,菏泽市巨野县、龙岩市新罗区、澄迈县大丰镇、四平市铁东区、乐山市马边彝族自治县、平顶山市石龙区,普热村,候家沟村,海丹,任家庄村,和平村,丕家村文昌花园社区,南寒泉,杜菜园村,山乐村,东荒村重庆市市辖区梁平区石安镇,红心村,万兴社区。
四房村,山岩,小西屯村,果期村,大孙村,东园村,双溪坞村,韩家屯村,叶儿村西垛村村,陈旺,方山,姚家窝堡村,土囤村榆木岭,刘大友村,王行
官西,新西直沟,徐庄村,合兴村,水府庙村,大有文园社区,农场四分场生活区,纳令村,小黄庄村绿地世纪城社区,三义村,赵翟坨村,官圣村,岳王庙村驼沟村,徐家村,贵州省六盘水市水城区鸡场镇
东何庄村,多伦多村,郭福庄村,北五村,红光楼社区,石河社区,红花坪村,刘家庄村,小蚌埠社区尖山村,诚乐村村,夏拉木嘎查,金郭庄村,丹真桑曲社区新中村,位子渌社区,东杨格庄
通辽市(下辖7个街道、9个镇、3个乡
望都县(下辖4个街道、8个镇)
卷坝村,兴胜沟村,新开村,温泉湖村,纪山,十三里桥,大桥村,三官庙村,山西省临汾市洪洞县曲亭镇稍江村,大同村,达松村村,中川,沙里店村梅苑社区,苇子沟,上西村
静海区(羊里街道、凌家湖农场、_3D97.12.65)、东胡集镇、靖民镇、_VIP6.3.63、_限量版9.295)
红石,管咀村,大古木,上官村,柯湖村,光明村,岗子,梁家桥村,适龙村河源,潮州市潮安区凤凰镇福北,青枫村村,德胜村,汕头市南澳县、焦作市博爱县、洛阳市栾川县、商洛市商州区、阳泉市城区、通化市集安市、海南兴海县、内蒙古呼和浩特市回民区青山村,玉泉庄村,白店村
丰富全面的技术组合
英特尔代工的先进系统封装及测试(IntelFoundryASAT)的技术组合,包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。
左上:FCBGA2D、右上:EMIB2.5D、左下:Foveros2.5D&3D、右下:EMIB3.5D
FCBGA2D是传统的有机FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)封装,适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。
FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术(substratestacking),能够减少高密度互连的面积,降低成本,特别适合网络和交换设备等产品。
EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术,芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上,再通过EMIB技术连接,增加了堆叠的灵活性,能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠,同时避免使用大型的中介层。
Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式,而不是基底连接,适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。
FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合,实现更高的互连带宽和更低的功耗,从而提供卓越的性能。
值得注意的是,这些技术并非互斥,而是在一个封装中可以同时采用,为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面,这体现了英特尔对封装细分市场的重视。
第一,成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小,相比于传统的大尺寸中介层,制造时能更高效地利用晶圆面积,减少空间和资源的浪费,综合成本更低。
第二,良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装(waferlevelassembly)这一步骤,减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险,从而提高了整体生产过程的良率。
第三,生产效率。与晶圆级技术相比,EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低,因此生产周期更短,能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下,这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据,加速产品上市。
第四,尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层,而EMIB则将硅桥嵌入基板,极大地提高了基板面积的利用率。同时,基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配,采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片,从而容纳更多的工作负载。
第五,供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能,确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。
展望未来
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