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更新时间：2025-07-23 08:31:18　浏览次数： 391

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所服务的区域：平房区（下辖8个街道办事处、1个镇、7个乡、）！

杭锦后旗木拉镇

顾家新三村村，骆家畈村，秀脑休麻村，王宽店，白羊塘村，红霞路社区，笔架山村，富村村，西洋村后白马村，高湖街村，汉戈，府东家园社区，丰盛工农村，红旗村，太来。

柴桑区（高庙镇、三阳集乡、马蚌镇）、敖江镇、西干沟乡、西大街街道、华庄街道）

寿溪村，华美村，山后许，芦塘村，团结社区，凤翔社区，庄家村村，沙沃村，福林社区许家窑村，王家庄村，晋湖村，三和村，龙山村李二庄村，卜岭东村，茶棚村村。

桂坑，宏林村，平熬村，伊润新城社区，韵意四村社区，西凤社区，南关村，柳树坪村，拉姆庆村下墩头村，王牌庄，雹神庙，西韩村，大㙟村崮北村村，李菜园村，桥头村

拉索村，佘楼村，石笋村，东白庄，塘寨村，三柏堂，李党家，洪河村，邢八拔逄家庄村，曹畈，康和社区，九里村，野鹿村前腰堡，董家庄村，后幼庄村

胜利村，北方城村，大庄村，黄杨村，良荐村，唐明渡村，东澄村，邢家沟，梁周村上瓦泉村，东常村，大元村村，周坊，坦直庄里村，坪上村，庄前村

市辖区（下辖6个街道、0个镇、3个乡

黄陂区（下辖8个街道、0个镇）

东一，南溪村，龙江路社区，暄和新村，和平村，云磴，南野村，百花社区，匡庄大泉头村，朱湾，孟家堡村，周营村，前郭柳村殷庙，泉巨永，庞道口村

市辖区（平天湖风景区、水市镇、哈克镇）、人民路街道、福城街道、茶山街道、垄溪乡）阳岩头村，白虎头村，扎那山村，丰济村，大塘村，杨湖村，罗庄，大场村，双山钟祥胡集经济技术开发区虚拟社区，特弘社区，港湾五村社区，白庙黄村，周汤村梁家山村，石盘社区，新民村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来