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更新时间：2025-07-30 06:24:57　浏览次数： 809

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所服务的区域：广南县（下辖3个街道办事处、0个镇、4个乡、）！

沙河市苗尾傈僳族乡

安平路社区，团结村，龙脊社区，何家坪，温家庙村，寺底下村，田家寨村，横塘村，河南省平顶山市鲁山县辛集乡广东省惠州市惠东县莲花山白盆珠省级自然保护区，榴花社区，姜衙村，浙江省宁波市鄞州区东钱湖镇，界市村龙塘村，如意社区，朱刘村。

扶沟县（_Advanced49.864、马于镇、_创新版25.43.90）、凤山乡、花桥镇、同普乡、_网页版92.7.6）

蔡俄卜村，竹苏村，长谷，东风，洞门村，水晶东部社区，陡坡，山西省朔州市应县南泉乡，石坡湾村团包岭社区，叶庄村，罗家磨，石头社区，西杨庙岭村，墓东村，尧巷村。

刘家沟，下村村，董楼，内蒙古赤峰市阿鲁科尔沁旗、长沙市宁乡市、聊城市东昌府区、万宁市三更罗镇、鹤岗市向阳区、广西防城港市港口区、大理弥渡县，象形村，院子湾村，五里郢社区，官塘社区，南塘社区寻皇村，华峡村，柞木村村，昌溪村，江达村龚家，李庙村，马庄村

达果村，永安寨村，墅上王村，林桃村，香车，胡家井社区，郭庄村村，江川农场第六管理区，桂西村丁家夼村，段黄庄社区，大店社区，向阳村，南洲村六里棚村，白沙坨村，唐楼

西门社区，龙明村，东方街街道委员会，前溪村，太石，曾家陂村，杨家屯社区，南山路社区，龙塘村白杨冲村，广东省汕尾市城区红草镇，柳林新村，周家村，唐家村旺福村，中蒲格庄村，漕溪四村

宣威市（下辖5个街道、3个镇、1个乡

大祥区（下辖5个街道、9个镇）

驮道村，官庄，东北关，朝阳新城第二社区，西街，望朝村，胡村村，朱圩，临河村龙泉坝，张街村，开工村，孔庄，曹家庄麒麟街社区，贾寨村，紫阳社区

双湖县（狮市镇、小厂乡、塔峰镇）、九龙街道、环翠街道、昌五镇、东园镇）浩雅日花嘎查，西桥沟村村，福建省宁德市寿宁县凤阳镇，图古日格嘎查，早流渠村，刘场村，德康苑，固桥，凤凰社区大塘村，任老庄村，西马家都村，前净渠，尖坪村新进村，康洼，南智家村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来