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更新时间：2025-07-29 00:48:18　浏览次数： 508

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所服务的区域：灞桥区（下辖4个街道办事处、8个镇、4个乡、）！

阿勒泰市石佛镇

凤凰社区，杨花庄村，沙井龙村，黄藏寺村，太平山村村，星望社区，陶马村，塘泾村，石堡村罗罗文，陶然庭苑社区，西道口村，顶尾村，己冲村三江口，富汴村，高石梯。

洪泽区（舟坝镇、_旗舰版3.193、东乐镇）、三塔镇、大兴街道、_战略版86.49.98、瑞州街道）

南苑，江海村村，锦滨社区，巨龙，榆台村，油蔡村村，韩麻森，湖北省恩施土家族苗族自治州恩施市崔家坝镇，新河村沥中社区，横罗村，河南省新乡市封丘县黄陵镇，艾李湖村，周家庄村村代店村，燎原村，前范村。

马街社区，丁屋村，雅鹿，项西村，马头村，怡湖社区，中和村，小雨社区，秀湖社区永州市零陵区、陵水黎族自治县光坡镇、吕梁市方山县、河源市连平县、赣州市会昌县、佛山市三水区、成都市邛崃市、曲靖市沾益区、东莞市大朗镇、黔东南黎平县，曹家村，马场村，民生路社区，东新街社区永丰村，海滨新村第二，薛庙社区

练江路社区，郑桥村，南溪村，通衢社区，梅园社区，河南省郑州市荥阳市崔庙镇，浮洋村，胡庄，沙湾村太山，呷拉宗，赵台村，大同新村社区，红坪白龙社区，董寨村，故献

中金村，五烈士村，朱李，南横山后村，三疃村，脑庄村，高村，江塑厂社区，金冢村白勒村，下寨村，吊桥沟村，北眉二村村，东小蛟河村保寿村，天河社区，新庄

奈曼旗（下辖0个街道、6个镇、7个乡

南部县（下辖8个街道、6个镇）

珠坑，横堤社区，万当铺，何夫村，红江村，贯古，黑山嘴，双渡村，贵州省铜仁市印江土家族苗族自治县峨岭街道九塘社区，桃林村，陆家堰村村，王山头村，赵窑村砍椽沟经营所社区，福坪社区，官庄村

弋阳县（_动态版1.546、阳日镇、_豪华版5.26）、_BT28.43.44、落水镇、通伸街道、_app21.6.50）罗山李家，胡家庄，西下泊社区，梅咀社区，钱集，东南台，李庄子村，先锋村，油房邵爻村，河口村，袁家庄，凤山街社区，页背村金昌社区，新五村，西林村

丰富全面的技术组合

英特尔代工的先进系统封装及测试（IntelFoundryASAT）的技术组合，包括FCBGA2D、FCBGA2D+、EMIB2.5D、EMIB3.5D、Foveros2.5D&3D和FoverosDirect3D等多种技术。

左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D&3D、右下：EMIB3.5D

FCBGA2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于成本敏感、I/O数量较少的产品。

FCBGA2D+在此基础上增加了基板层叠技术（substratestacking），能够减少高密度互连的面积，降低成本，特别适合网络和交换设备等产品。

EMIB3.5D则在此基础上引入了3D堆叠技术，芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层。

Foveros2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接，适合高速I/O与较小芯片组分离的设计。

FoverosDirect3D技术则通过铜和铜直接键合，实现更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供卓越的性能。

值得注意的是，这些技术并非互斥，而是在一个封装中可以同时采用，为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。在商业层面，这体现了英特尔对封装细分市场的重视。

第一，成本效益。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地利用晶圆面积，减少空间和资源的浪费，综合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技术省略了晶圆级封装（waferlevelassembly）这一步骤，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率损失风险，从而提高了整体生产过程的良率。

第三，生产效率。与晶圆级技术相比，EMIB技术的制造步骤更少、复杂度更低，因此生产周期更短，能够为客户节省宝贵的时间。在市场动态快速变化的情况下，这种时间优势能够帮助客户更快地获得产品验证数据，加速产品上市。

第四，尺寸优化。晶圆级技术需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥嵌入基板，极大地提高了基板面积的利用率。同时，基板的尺寸与集成电路面板的格式相匹配，采用EMIB能够在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的工作负载。

第五，供应链与产能。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求。

展望未来